| 基金资助 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·概述 | 第9-10页 |
| ·InN材料的基本性质 | 第10-11页 |
| ·InN材料的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·InN材料的电学性质 | 第11页 |
| ·InN材料的光学性质 | 第11页 |
| ·InN薄膜的生长技术 | 第11-13页 |
| ·生长方法 | 第11-13页 |
| ·本论文的研究意义和研究内容 | 第13-15页 |
| 2 生长系统和表征方法 | 第15-28页 |
| ·生长系统 | 第15-19页 |
| ·ECR-PEMOCVD技术基本原理及特点 | 第15-16页 |
| ·ECR-PEMOCVD生长系统的总体结构 | 第16-19页 |
| ·表征方法 | 第19-28页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第19-21页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第21-22页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第22-24页 |
| ·拉曼散射光谱(UV Raman) | 第24页 |
| ·霍尔效应(Hall) | 第24-26页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第26-28页 |
| 3 InN薄膜的生长概述 | 第28-30页 |
| ·薄膜的生长理论 | 第28页 |
| ·薄膜成核过程 | 第28页 |
| ·岛形成与生长过程 | 第28页 |
| ·温度对薄膜的影响 | 第28页 |
| ·InN衬底材料的选择 | 第28-30页 |
| 4 α-Al_2O_3衬底上InN的生长及特性研究 | 第30-45页 |
| ·InN薄膜的制备工艺 | 第30-31页 |
| ·衬底的化学清洗 | 第30页 |
| ·衬底的等离子体清洗 | 第30页 |
| ·衬底的氮化 | 第30-31页 |
| ·InN薄膜的沉积 | 第31页 |
| ·不同N_2流量下InN薄膜的性能分析 | 第31-38页 |
| ·RHEED分析 | 第31-32页 |
| ·XRD分析 | 第32-35页 |
| ·XPS谱分析 | 第35页 |
| ·AFM分析 | 第35-37页 |
| ·霍尔测试分析 | 第37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| ·不同沉积温度对InN薄膜的性能分析 | 第38-45页 |
| ·RHEED分析 | 第38-39页 |
| ·XRD分析 | 第39页 |
| ·Raman分析 | 第39-40页 |
| ·AFM分析 | 第40-43页 |
| ·Hall测试分析 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |