| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| ·高Al 组分Al_xGa_(1-x)N 基材料研究的背景与意义 | 第8-9页 |
| ·MOCVD 外延生长方法的特点 | 第9-11页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N 材料MOCVD 外延生长的主要问题 | 第11-13页 |
| ·衬底的选择 | 第11-12页 |
| ·蓝宝石衬底上Al_xGa_(1-x)N 材料MOCVD 外延生长的主要问题 | 第12-13页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N 材料生长的国内外现状 | 第13-15页 |
| ·国外研究及发展现状 | 第13-14页 |
| ·国内研究及发展现状 | 第14-15页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N 基紫外探测器的应用背景 | 第15-16页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N 基紫外探测器的研究进展 | 第16-18页 |
| ·本文研究的目的 | 第18页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 2 蓝宝石衬底上 AlN 基板 MOCVD 外延生长研究 | 第19-30页 |
| ·MOCVD 生长AlN 基板的基本物理化学过程 | 第19-21页 |
| ·TMAl 流量变化对AlN 基板生长的影响 | 第21-25页 |
| ·实验过程 | 第21-22页 |
| ·测试结果与讨论 | 第22-25页 |
| ·温度变化对AlN 基板生长的影响 | 第25-27页 |
| ·实验过程 | 第25页 |
| ·测试结果与讨论 | 第25-27页 |
| ·AlN/Al_xGa_(1-x)N 超晶格缓冲层的MOCVD 外延生长 | 第27-28页 |
| ·实验过程 | 第27-28页 |
| ·测试结果与讨论 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 3 蓝宝石衬底上高 Al 组分 Al_xGa_(1-x)N 材料 MOCVD 生长 | 第30-38页 |
| ·TMGa 流量对Al_xGa_(1-x)N 外延生长的影响 | 第30-33页 |
| ·实验过程 | 第30页 |
| ·测试结果与讨论 | 第30-33页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/AlN 超晶格缓冲层上高Al 组分Al_xGa_(1-x)N 外延材料的生长研究 | 第33-34页 |
| ·实验过程 | 第33页 |
| ·测试结果与讨论 | 第33-34页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N 晶体材料的n 型掺杂研究 | 第34-37页 |
| ·实验过程 | 第34页 |
| ·测试结果与讨论 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 Al_xGa_(1-x)N 基日盲p-i-n 型 FPA 探测器的研制 | 第38-51页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N 基p-i-n 型探测器工作原理 | 第38-40页 |
| ·紫外探测器p-i-n 结构设计 | 第40-42页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N 焦平面阵列探测器设计与制作 | 第42-45页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N 日盲p-i-n 型FPA 探测器的性能 | 第45-50页 |
| ·探测器相关参数介绍 | 第45-46页 |
| ·参数测试装置及测试结果 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 结论与展望 | 第51-52页 |
| ·结论 | 第51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 附录 作者在攻读学位期间发表的论文 | 第60页 |
