| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| ·低维半导体材料 | 第13-16页 |
| ·低维半导体系统的拉曼散射 | 第16-17页 |
| ·本文研究工作概要 | 第17-19页 |
| 第二章 矩形量子线中声子参与的斯托克斯拉曼散射 | 第19-28页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·系统的哈密顿量 | 第19-21页 |
| ·微分散射截面 | 第21-23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 柱形量子点中声子参与的斯托克斯拉曼散射 | 第28-38页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·电声相互作用哈密顿量 | 第28-30页 |
| ·微分散射界面和选择定则 | 第30-34页 |
| ·计算结果与讨论 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 外加电场下谐振子量子线的电子拉曼散射 | 第38-44页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·外加电场下谐振子量子线中电子态 | 第38-39页 |
| ·微分散射截面和选择定则 | 第39-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及完成的工作 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |