| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·计算方法 | 第8-9页 |
| ·材料研究现状 | 第9-12页 |
| ·半导体材料 GaN 的研究现状 | 第9-10页 |
| ·铁电材料 BaTiO3 的研究现状 | 第10-11页 |
| ·GaN-BTO 异质结的研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文工作 | 第12-14页 |
| 第二章 第一性原理计算方法 | 第14-26页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-19页 |
| ·多体薛定谔方程 | 第15-16页 |
| ·绝热近似 | 第16页 |
| ·单电子近似 | 第16-18页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第18页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第18-19页 |
| ·交换相关能 | 第19页 |
| ·赝势理论 | 第19-21页 |
| ·模守恒赝势 | 第20-21页 |
| ·超软赝势 | 第21页 |
| ·计算软件介绍 | 第21-26页 |
| ·电子态密度和分波态密度 | 第22-23页 |
| ·结构优化 | 第23-24页 |
| ·弹性模量 | 第24-25页 |
| ·光学性质 | 第25-26页 |
| 第三章 BaTiO_3 及GAN 的体结构电子特性 | 第26-34页 |
| ·GAN 体结构电子特性 | 第26-30页 |
| ·BaTiO_3 体结构电子特性 | 第30-34页 |
| 第四章 BaTiO_3 及GAN 的表面电子特性 | 第34-47页 |
| ·BaTiO_3（001）表面 | 第34页 |
| ·BaTiO_3（001）表面的电子特性 | 第34-41页 |
| ·GAN（001）表面 | 第41-42页 |
| ·GAN（001）表面的电子特性 | 第42-47页 |
| 第五章 掺杂 GAN 及 BaTiO_3 的电子特性 | 第47-55页 |
| ·掺杂的BaTiO_3 材料 | 第47页 |
| ·NB 掺杂 BaTiO_3 的电子结构特性 | 第47-51页 |
| ·掺杂的GAN 材料 | 第51-52页 |
| ·AL 掺杂 GAN 的电子结构特性 | 第52-55页 |
| 第六章 GAN-BTO 异质结构的电子特性 | 第55-67页 |
| ·GAN-BTO 异质结模型 | 第55-57页 |
| ·GAN-BTO 异质结原子弛豫 | 第57-58页 |
| ·GAN-BTO 异质结电子结构特性 | 第58-63页 |
| ·GAN-BTO 异质结带偏 | 第63-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻硕期间的研究成果 | 第74-75页 |