| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·选题意义 | 第9页 |
| ·ZnO 和CuSCN 的基本性质 | 第9-11页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结研究进展 | 第12-13页 |
| ·主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 SILAR 制备Al 掺杂ZnO 薄膜 | 第14-23页 |
| ·实验部分 | 第14-16页 |
| ·药品和仪器 | 第14页 |
| ·实验步骤 | 第14-16页 |
| ·薄膜表征 | 第16页 |
| ·结果分析 | 第16-21页 |
| ·铝掺杂浓度对薄膜的影响 | 第17-20页 |
| ·退火处理对薄膜的影响 | 第20-21页 |
| 本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 CBD 制备柱状阵列ZnO 薄膜 | 第23-31页 |
| ·实验部分 | 第23-25页 |
| ·药品和仪器 | 第23页 |
| ·实验步骤 | 第23-25页 |
| ·薄膜表征 | 第25页 |
| ·结果分析 | 第25-29页 |
| ·XRD 分析 | 第25-27页 |
| ·表面形貌分析 | 第27-29页 |
| 本章小结 | 第29-31页 |
| 第四章 SILAR 制备ZnO/CuSCN 异质结 | 第31-39页 |
| ·实验部分 | 第31-33页 |
| ·药品和仪器 | 第31页 |
| ·实验步骤 | 第31-33页 |
| ·异质结表征 | 第33页 |
| ·结果分析 | 第33-38页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结XRD 分析 | 第33-34页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结表面形貌 | 第34-35页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结I-V 特性 | 第35-36页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结电流输运机制 | 第36-37页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结能带结构分析 | 第37-38页 |
| 本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 溶液法制备柱状阵列ZnO/CuSCN 异质结 | 第39-47页 |
| ·实验部分 | 第39-40页 |
| ·药品和仪器 | 第39页 |
| ·实验步骤 | 第39-40页 |
| ·异质结表征 | 第40页 |
| ·结果分析 | 第40-46页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结XRD 分析 | 第40-41页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结表面形貌 | 第41-42页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结的I-V 特性 | 第42-43页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结电流输运机制 | 第43-45页 |
| ·ZnO/CuSCN 异质结能带结构分析 | 第45-46页 |
| 本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附件 | 第55页 |