| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·研究背景 | 第10-13页 |
| ·太阳电池研究意义 | 第10-11页 |
| ·硅基薄膜太阳电池在光伏中的地位 | 第11-12页 |
| ·硅基薄膜太阳电池面临的问题及主要的解决方案 | 第12-13页 |
| ·硅锗薄膜材料研究意义和进展 | 第13-14页 |
| ·本论文的研究目标和内容 | 第14-16页 |
| 第二章 实验方案和主要分析技术 | 第16-31页 |
| ·PECVD 的基本原理 | 第16-19页 |
| ·材料光电性能测试 | 第19-21页 |
| ·电学特性测试 | 第19-21页 |
| ·光学特性测试 | 第21页 |
| ·材料微结构测试 | 第21-24页 |
| ·喇曼（Raman）散射光谱 | 第21-23页 |
| ·X 射线衍射谱（XRD ） | 第23页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM ） | 第23-24页 |
| ·太阳电池特性测试 | 第24-28页 |
| ·单晶硅pn 结二极管模型 | 第24-26页 |
| ·pin 型电池和nip 型电池 | 第26-27页 |
| ·太阳电池等效电路图 | 第27页 |
| ·太阳电池电学特性测试 | 第27-28页 |
| ·硅锗薄膜材料成分测试 | 第28-30页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第28页 |
| ·荧光 X 射线 | 第28-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第三章 硅锗薄膜材料的制备工艺研究 | 第31-54页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验设备和实验过程 | 第31-32页 |
| ·制备工艺对硅锗薄膜材料的影响 | 第32-52页 |
| ·硅锗薄膜材料制备工艺的影响因素 | 第32-35页 |
| ·衬底温度对RF-PECVD 法制备硅锗薄膜材料的影响 | 第35-37页 |
| ·辉光功率对RF-PECVD 法制备硅锗薄膜材料的影响 | 第37-40页 |
| ·氢稀释率对RF-PECVD 法制备硅锗薄膜材料的影响 | 第40-43页 |
| ·锗烷浓度对RF-PECVD 法制备硅锗薄膜材料的影响 | 第43-49页 |
| ·反应压强对RF-PECVD 法制备硅锗薄膜材料的影响 | 第49-51页 |
| ·电极距离对RF-PECVD 法制备硅锗薄膜材料的影响 | 第51-52页 |
| ·硅锗薄膜材料的透过谱 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第四章 锗硅薄膜材料在太阳电池中的应用 | 第54-63页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·硅锗薄膜太阳电池的制备 | 第54-56页 |
| ·硅锗薄膜电池制备简介 | 第54-55页 |
| ·硅锗薄膜太阳电池的制备 | 第55-56页 |
| ·硅锗薄膜材料以及buffer 层在硅锗电池中的初步应用研究 | 第56-62页 |
| ·非晶硅buffer 层厚度对非晶硅锗薄膜电池的影响 | 第56-60页 |
| ·非晶硅锗薄膜电池窗口层的初步优化 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
