| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·GaN 材料的起源 | 第11-13页 |
| ·GaN 材料为基的HEMT 器件应用背景和发展现状 | 第13-14页 |
| ·铁电/半导体异质结构的研究现状 | 第14-15页 |
| ·目前的问题 | 第15-16页 |
| ·本文主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 铁电/半导体异质结二维电子气的电荷控制模型 | 第17-34页 |
| ·铁电/半导体异质结的极化效应 | 第17-26页 |
| ·Ⅲ族氮化物的极化效应 | 第17-21页 |
| ·三元化合物的晶格常数 | 第18-19页 |
| ·III 族氮化物的非线性自发极化和压电极化 | 第19-21页 |
| ·铁电体的极化效应 | 第21-22页 |
| ·极化诱导表面或界面电荷 | 第22-23页 |
| ·极化诱导2DEGs 的面密度 | 第23-26页 |
| ·电荷控制模型 | 第26-33页 |
| ·铁电体的极化强度 | 第26-27页 |
| ·AlxGa1-xN 材料的极化强度 | 第27-28页 |
| ·一维 Poisson-Schr?dinger 方程 | 第28-29页 |
| ·一维Poisson-Schr?dinger 方程的求解 | 第29-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 铁电/半导体异质结二维电子气的计算结果 | 第34-50页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·铁电/GaN——MFS 结构 | 第35-40页 |
| ·铁电极化强度的影响 | 第35-38页 |
| ·介电常数的影响 | 第38-39页 |
| ·不同栅压下的影响 | 第39-40页 |
| ·铁电/AlGaN/GaN——MFIS 结构 | 第40-42页 |
| ·铁电层厚度的影响 | 第41页 |
| ·铁电极化强度的影响 | 第41-42页 |
| ·AlGaN/GaN/铁电双异质结结构 | 第42-46页 |
| ·单轴应变AlGaN/GaN 结构 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 铁电/半导体异质结2DEG 的迁移率模型 | 第50-67页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·极化诱导AlGaN/GaN 器件2DEGs | 第51-54页 |
| ·极化对电荷的传输特性和散射机制的影响 | 第51-52页 |
| ·2DEG 迁移率的实验数据 | 第52-53页 |
| ·铁电/AlGaN/GaN 异质结2DEG 迁移率的理论计算 | 第53-54页 |
| ·散射机制 | 第54-66页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结典型结构 | 第54-55页 |
| ·散射机制 | 第55-66页 |
| ·声学声子 | 第55-56页 |
| ·光学声子 | 第56页 |
| ·合金散射 | 第56-59页 |
| ·界面粗糙散射 | 第59-60页 |
| ·电离杂质散射 | 第60-61页 |
| ·偶极子散射 | 第61-64页 |
| ·位错散射 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 铁电/半导体异质结2DEG 的迁移率特性 | 第67-83页 |
| ·各散射机制对铁电/半导体结构2DEG 迁移率的贡献 | 第67-77页 |
| ·温度及2DEG 浓度对迁移率的影响 | 第68-72页 |
| ·铁电/半导体异质结结构中材料参数对迁移率的影响 | 第72-75页 |
| ·极化对铁电/半导体异质结结构中2DEG 迁移率的影响 | 第75-77页 |
| ·应变对GaN/BTO 结构中2DEG 迁移率的影响 | 第77-80页 |
| ·理论计算与实验结果的对比 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 总结 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 攻读硕士期间研究的成果 | 第92-93页 |
