| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·GaN材料的发展历程 | 第9-12页 |
| ·GaN材料的基本特性 | 第12-16页 |
| ·GaN材料的相态与结构 | 第12-14页 |
| ·GaN材料的光学性能 | 第14-15页 |
| ·GaN材料的电学性能 | 第15-16页 |
| ·GaN材料中的主要缺陷及减少缺陷的方法 | 第16-19页 |
| ·GaN材料中的主要缺陷 | 第16-18页 |
| ·减少GaN材料缺陷常用方法 | 第18-19页 |
| ·GaN基器件的研究进展 | 第19-21页 |
| ·本文主要研究内容及研究意义 | 第21-22页 |
| 第二章 样品制备及检测方法 | 第22-28页 |
| ·实验过程 | 第22-24页 |
| ·样品制备 | 第22-23页 |
| ·快速热处理 | 第23-24页 |
| ·GaN样品性能检测 | 第24-28页 |
| ·双晶X射线衍射检测 | 第24-25页 |
| ·光致发光效应 | 第25页 |
| ·霍尔效应检测 | 第25-26页 |
| ·透射电子显微镜 | 第26-28页 |
| 第三章 GaN薄膜中位错对载流子性能的影响 | 第28-38页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·GaN薄膜中位错的观察及位错密度的计算 | 第28-32页 |
| ·GaN薄膜位错的观察 | 第29-30页 |
| ·GaN薄膜中位错密度的计算 | 第30-32页 |
| ·GaN薄膜中位错对载流子性能的影响 | 第32-36页 |
| ·载流子性能参数测定 | 第32-33页 |
| ·结果分析 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 GaN薄膜中位错对材料性能影响的讨论 | 第38-51页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·位错对GaN材料光学性能的影响 | 第38-47页 |
| ·不同样品不同位错密度的GaN样品的光学性能的变化 | 第39-44页 |
| ·相同样品不同位错密度的GaN样品的光学性能的变化 | 第44-47页 |
| ·位错对GaN材料电学性能的影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 致谢 | 第57页 |