廉价衬底上PECVD法制备非晶硅薄膜的工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·太阳能电池的发展历史及趋势 | 第9-11页 |
| ·太阳能电池的研究背景 | 第9-10页 |
| ·太阳能电池的发展趋势 | 第10-11页 |
| ·非晶硅薄膜的特性及应用 | 第11-16页 |
| ·非晶硅薄膜的结构及特性 | 第11-13页 |
| ·非晶硅的光致衰退效应 | 第13-14页 |
| ·非晶硅薄膜的应用 | 第14-16页 |
| ·本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 PECVD 法及主要分析技术 | 第18-21页 |
| ·PECVD 法 | 第18-19页 |
| ·主要分析技术 | 第19-21页 |
| ·X 射线衍射(XRD ) | 第19页 |
| ·激光拉曼光谱(Raman) | 第19-20页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第20页 |
| ·傅立叶红外光谱仪(FTIR ) | 第20页 |
| ·台阶仪(Surface Profiler ) | 第20-21页 |
| 第三章 衬底材料对非晶硅薄膜性能的影响 | 第21-28页 |
| ·实验过程 | 第21-25页 |
| ·原材料的选取 | 第21-22页 |
| ·PECVD 设备参数 | 第22-23页 |
| ·衬底预处理 | 第23-24页 |
| ·实验步骤 | 第24-25页 |
| ·工艺参数 | 第25页 |
| ·实验结果与分析 | 第25-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第四章 非晶硅薄膜的制备工艺参数对其性能的影响 | 第28-48页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·硅烷浓度对非晶硅薄膜性能的影响 | 第28-34页 |
| ·衬底温度对非晶硅薄膜性能的影响 | 第34-39页 |
| ·射频功率对非晶硅薄膜性能的影响 | 第39-43页 |
| ·反应气压对非晶硅薄膜性能的影响 | 第43-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |