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廉价衬底上PECVD法制备非晶硅薄膜的工艺研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-18页
   ·太阳能电池的发展历史及趋势第9-11页
     ·太阳能电池的研究背景第9-10页
     ·太阳能电池的发展趋势第10-11页
   ·非晶硅薄膜的特性及应用第11-16页
     ·非晶硅薄膜的结构及特性第11-13页
     ·非晶硅的光致衰退效应第13-14页
     ·非晶硅薄膜的应用第14-16页
   ·本文主要研究内容第16-18页
第二章 PECVD 法及主要分析技术第18-21页
   ·PECVD 法第18-19页
   ·主要分析技术第19-21页
     ·X 射线衍射(XRD )第19页
     ·激光拉曼光谱(Raman)第19-20页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第20页
     ·傅立叶红外光谱仪(FTIR )第20页
     ·台阶仪(Surface Profiler )第20-21页
第三章 衬底材料对非晶硅薄膜性能的影响第21-28页
   ·实验过程第21-25页
     ·原材料的选取第21-22页
     ·PECVD 设备参数第22-23页
     ·衬底预处理第23-24页
     ·实验步骤第24-25页
     ·工艺参数第25页
   ·实验结果与分析第25-27页
   ·小结第27-28页
第四章 非晶硅薄膜的制备工艺参数对其性能的影响第28-48页
   ·引言第28页
   ·硅烷浓度对非晶硅薄膜性能的影响第28-34页
   ·衬底温度对非晶硅薄膜性能的影响第34-39页
   ·射频功率对非晶硅薄膜性能的影响第39-43页
   ·反应气压对非晶硅薄膜性能的影响第43-48页
第五章 结论第48-49页
参考文献第49-52页
攻读学位期间所取得的相关科研成果第52-53页
致谢第53页

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