用低能量/光电子显微镜研究Si基片上Pb岛的生长和熔化
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·电子显微镜 | 第10-14页 |
| ·发展史 | 第10-12页 |
| ·基本概念 | 第12-14页 |
| ·低能量电子显微镜和光电子显微镜 | 第14-16页 |
| ·Si的结构和Si(111)-7×7重构 | 第16-19页 |
| ·Pb/Si(111)的研究史 | 第19-22页 |
| 第二章 理论基础 | 第22-32页 |
| ·真空技术 | 第22-27页 |
| ·真空系统 | 第23页 |
| ·真空计 | 第23-25页 |
| ·真空泵 | 第25-27页 |
| ·薄膜技术 | 第27-32页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第27-28页 |
| ·薄膜的组织结构 | 第28-29页 |
| ·常用的真空镀膜方法 | 第29-32页 |
| 第三章 单法兰集成式低能量/光电子显微镜 | 第32-44页 |
| ·LEEM/PEEM的原理 | 第33-36页 |
| ·成像电子 | 第33页 |
| ·LEEM成像过程 | 第33-35页 |
| ·低能电子在样品表面的衍射 | 第35-36页 |
| ·LEEM/PEEM的结构 | 第36-39页 |
| ·电子束分离器 | 第36-38页 |
| ·透镜系统及光栅 | 第38-39页 |
| ·LEEM/PEEM的测量模式 | 第39-41页 |
| ·测量模式 | 第39-40页 |
| ·LEEM-IV的操作步骤 | 第40-41页 |
| ·LEEM/PEEM的应用 | 第41-44页 |
| 第四章 Si基片上Pb岛的生长和熔化 | 第44-50页 |
| ·Pb岛的生长和熔化 | 第45-48页 |
| ·实验条件及过程 | 第45页 |
| ·Si(111)表面的低能电子衍射 | 第45-46页 |
| ·Pb岛的生长过程 | 第46-47页 |
| ·Pb岛的熔化过程 | 第47-48页 |
| ·Pb量子球附近的衍射环 | 第48-50页 |
| ·Pb量子球的衍射 | 第48页 |
| ·Pb量子球的尺度计算 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
