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宽禁带半导体材料—ZnO、TiO2和金刚石的制备及发光性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-14页
   ·引言第9页
   ·宽禁带半导体材料的研究进展第9-12页
     ·半导体材料的发展历程第9-10页
     ·宽禁带半导体材料的研究现状与发展前景第10-12页
   ·本论文的选题依据和主要研究内容第12-14页
     ·选题依据第12页
     ·主要研究内容第12-14页
第二章 宽禁带半导体材料的物化性质与性能表征第14-23页
   ·引言第14页
   ·ZnO 的结构与性质第14-15页
     ·ZnO 的结构第14-15页
     ·ZnO 的主要性质第15页
   ·Ti0_2的结构与性质第15-17页
     ·Ti0_2的结构第15-16页
     ·Ti0_2的主要性质第16-17页
   ·金刚石的结构与性质第17-20页
     ·金刚石的结构与分类第17-19页
     ·金刚石的主要性质第19-20页
   ·常用的表征手段第20-23页
     ·X 射线衍射谱(XRD)第20-21页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第21页
     ·拉曼光谱第21页
     ·发光光谱第21-22页
     ·吸收光谱第22页
     ·X 射线光电子能谱(XPS)第22-23页
第三章 纳米ZnO 和Mn、Cr 掺杂ZnO 薄膜的制备及发光性能研究第23-40页
   ·引言第23页
   ·ZnO 纳米棒的制备及发光性能研究第23-30页
     ·ZnO 纳米棒的制备第24-25页
     ·ZnO 纳米棒的结构和发光性能研究第25-30页
   ·Mn 掺杂ZnO 薄膜的制备及发光性能研究第30-34页
     ·Mn 掺杂ZnO 薄膜的制备第31页
     ·Mn 掺杂ZnO 薄膜的结构和发光性能研究第31-34页
   ·Cr 掺杂ZnO 薄膜的制备及发光性能研究第34-38页
     ·Cr 掺杂ZnO 薄膜的制备第34-35页
     ·Cr 掺杂ZnO 薄膜的结构和发光性能研究第35-38页
   ·本章小结第38-40页
第四章 不同尺寸的Ti0_2纳米晶和Fe 掺杂Ti0_2薄膜的制备及发光性能研究第40-50页
   ·引言第40-41页
   ·不同尺寸Ti0_2纳米晶的制备及发光性能研究第41-44页
     ·不同尺寸Ti0_2纳米晶的制备第41页
     ·Ti0_2纳米晶的结构和发光性能研究第41-44页
   ·Fe 掺杂Ti0_2薄膜的制备及发光性能研究第44-49页
     ·Fe 掺杂Ti0_2薄膜的制备第44-45页
     ·Fe 掺杂Ti0_2薄膜的结构和发光性能研究第45-49页
   ·本章小结第49-50页
第五章 自支撑及硼掺杂CVD 金刚石薄膜的制备及发光性能研究第50-63页
   ·引言第50-52页
   ·自支撑金刚石薄膜的制备及发光性能研究第52-56页
     ·自支撑金刚石薄膜的制备第52-53页
     ·金刚石薄膜的结构和发光性能研究第53-56页
   ·B 掺杂金刚石薄膜的制备及发光性能研究第56-62页
     ·B 掺杂金刚石薄膜的制备第56-58页
     ·B 掺杂金刚石薄膜的结构和发光性能研究第58-62页
   ·本章小结第62-63页
第六章 结论第63-65页
参考文献第65-72页
发表论文和科研情况说明第72-73页
致谢第73-74页

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