高Al组分AlGaN外延膜的测试与表征
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第7-8页 |
| ·本文研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| ·本论文的主要内容 | 第9-11页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物简介 | 第11-21页 |
| ·Ⅲ族氮化物的结构及性质 | 第11-13页 |
| ·GaN基半导体材料的结构 | 第11-12页 |
| ·GaN基材料的能带结构及基本性质 | 第12-13页 |
| ·GaN基材料的制备 | 第13-17页 |
| ·异质外延中衬底材料的选择 | 第13-14页 |
| ·主要外延生长技术 | 第14页 |
| ·异质外延的三种模式 | 第14-15页 |
| ·MOCVD生长GaN的原理与过程 | 第15-17页 |
| ·GaN基材料的典型应用 | 第17-19页 |
| ·发光二极管 | 第17-18页 |
| ·激光二极管 | 第18页 |
| ·紫外探测器 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第三章 测试方法及其应用 | 第21-37页 |
| ·卢瑟福背散射 | 第21-24页 |
| ·基本原理 | 第21-22页 |
| ·动力学因子K | 第22-23页 |
| ·能量损失和阻止横截面 | 第23页 |
| ·背散射技术的实验装置 | 第23-24页 |
| ·透射电子显微镜及其应用 | 第24-26页 |
| ·TEM制样技术 | 第24-25页 |
| ·透射电子显微镜中的位错观测 | 第25页 |
| ·利用割线法来计算位错密度 | 第25-26页 |
| ·拉曼散射及其应用 | 第26-29页 |
| ·拉曼散射的物理基础 | 第26-27页 |
| ·拉曼光谱技术在材料科学研究中的应用 | 第27-28页 |
| ·GaN基材料中的选择定则 | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜及其应用 | 第29-30页 |
| ·基本原理 | 第29页 |
| ·工作模式 | 第29-30页 |
| ·扫描电镜及其应用 | 第30-32页 |
| ·电子与固体表面的作用时产生的信号 | 第31页 |
| ·二次电子成像原理 | 第31-32页 |
| ·背散射电子衬度原理 | 第32页 |
| ·高分辨X射线衍射在外延材料中的应用 | 第32-35页 |
| ·基本原理 | 第33页 |
| ·HRXRD在GaN基半导体外延薄膜中的应用 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 实验结果与讨论 | 第37-53页 |
| ·使用RBS确定AlGaN薄膜中的Al组分 | 第37-40页 |
| ·实验条件 | 第37-38页 |
| ·数据处理方法 | 第38-39页 |
| ·样品模拟结果 | 第39-40页 |
| ·对使用RBS测定固溶体成分的补充说明 | 第40页 |
| ·样品的腐蚀实验 | 第40-41页 |
| ·腐蚀前期的准备工作 | 第40页 |
| ·样品的腐蚀 | 第40-41页 |
| ·平整表面样品的研究 | 第41-44页 |
| ·扫描电镜下的表面形貌 | 第41-42页 |
| ·超晶格层对位错的过滤作用 | 第42-43页 |
| ·样品的腐蚀形貌 | 第43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| ·裂纹表面样品的测试分析 | 第44-47页 |
| ·扫描电镜下样品的表面形貌 | 第44页 |
| ·TEM和AFM测试结果 | 第44-45页 |
| ·样品中应力的估算 | 第45-46页 |
| ·AlGaN/AlN超晶格层对位错的阻挡作用 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47页 |
| ·具有六方凸起表面的样品研究 | 第47-49页 |
| ·扫描电镜下的表面形貌 | 第47-48页 |
| ·样品的腐蚀形貌 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49页 |
| ·具有多种缺陷的样品分析 | 第49-52页 |
| ·扫描电镜下的表面形貌 | 第49-50页 |
| ·X射线衍射与透射电子显微镜结果 | 第50-51页 |
| ·腐蚀形貌观察 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结束语 | 第53-55页 |
| ·研究成果 | 第53页 |
| ·研究中存在的问题 | 第53-54页 |
| ·展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果及参加的科研项目 | 第61-62页 |
