| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·硅中的氧 | 第10-11页 |
| ·硅中氧的引入 | 第10页 |
| ·硅中氧的基本性质 | 第10-11页 |
| ·硅中的氧沉淀 | 第11-14页 |
| ·氧沉淀的形核 | 第12-13页 |
| ·氧沉淀的长大 | 第13页 |
| ·氧沉淀的热处理性质 | 第13-14页 |
| ·单晶硅的电子辐照 | 第14-17页 |
| ·辐照机理 | 第14-15页 |
| ·辐照缺陷 | 第15-16页 |
| ·辐照缺陷对电学性能的影响 | 第16-17页 |
| ·辐照缺陷对氧沉淀的影响 | 第17页 |
| ·硅中的内吸杂 | 第17-22页 |
| ·传统的IG 工艺 | 第18-19页 |
| ·MDZ 工艺 | 第19-20页 |
| ·快速热处理技术 | 第20-22页 |
| ·本文的主要研究内容. | 第22-23页 |
| 第二章 样品的制备与检测方法 | 第23-28页 |
| ·样品的制备 | 第23页 |
| ·主要实验设备 | 第23-28页 |
| ·热处理设备 | 第24-25页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪 | 第25-26页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第26-28页 |
| 第三章 电子辐照单晶硅中辐照缺陷及其电学性能的研究. | 第28-44页 |
| ·前言 | 第28页 |
| ·实验过程 | 第28-29页 |
| ·实验结果与分析 | 第29-43页 |
| ·辐照剂量对电子辐照单晶硅中的辐照缺陷及其电学性能的影响 | 第29-33页 |
| ·退火温度对电子辐照单晶硅中的辐照缺陷及其电学性能的影响 | 第33-40页 |
| ·退火时间对电子辐照单晶硅中的辐照缺陷及其电学性能的影响 | 第40-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第四章 RTP 预处理下电子辐照单晶硅中内吸杂性能的研究 | 第44-52页 |
| ·前言 | 第44-45页 |
| ·实验过程 | 第45页 |
| ·实验结果与分析 | 第45-51页 |
| ·RTP 温度对IG 性能的影响 | 第45-48页 |
| ·RTP 降温速率对IG 性能的影响 | 第48-50页 |
| ·RTP 预处理气氛对IG 工艺的影响 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
