PECVD多晶硅薄膜制备工艺和性能的研究
| Abstract | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·研究多晶硅薄膜的意义 | 第8-9页 |
| ·多晶硅薄膜材料的制备方法 | 第9-14页 |
| ·在衬底上直接沉积多晶硅薄膜 | 第9-12页 |
| ·在衬底上间接制备多晶硅薄膜 | 第12-14页 |
| ·多晶硅薄膜的应用 | 第14-16页 |
| ·多晶硅薄膜在太阳能电池中的应用 | 第14-15页 |
| ·多晶硅薄膜在电子器件中的应用 | 第15-16页 |
| ·多晶硅薄膜在传感领域的应用 | 第16页 |
| ·本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 实验方案及测试技术 | 第18-26页 |
| ·衬底制备 | 第18-19页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·本文所用衬底参数 | 第18-19页 |
| ·衬底处理 | 第19页 |
| ·实验方案 | 第19-21页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法制备非晶硅薄膜 | 第19-20页 |
| ·快速热处理对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第20-21页 |
| ·分析与测试技术 | 第21-26页 |
| ·激光拉曼光谱(Raman) | 第21-22页 |
| ·X 射线衍射(XRD ) | 第22-24页 |
| ·傅里叶红外变换光谱（FTIR ） | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM ） | 第25-26页 |
| 第三章 快速热处理退火工艺制备多晶硅薄膜 | 第26-39页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·样品制备 | 第26-27页 |
| ·退火条件对a- si :H 薄膜晶化的影响 | 第27-36页 |
| ·退火温度的影响 | 第27-29页 |
| ·退火时间的影响 | 第29-32页 |
| ·分步退火的影响 | 第32-36页 |
| ·常规退火和快速退火固化晶化的对比 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 PECVD 低温制备多晶硅薄膜 | 第39-55页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·硅烷浓度对薄膜性能的影响 | 第39-43页 |
| ·硅烷浓度对薄膜沉积速率和结构的影响 | 第40-42页 |
| ·硅烷浓度对薄膜晶化的影响 | 第42-43页 |
| ·沉积温度对薄膜性能的影响 | 第43-48页 |
| ·沉积温度对薄膜沉积速率和结构的影响 | 第43-45页 |
| ·沉积温度对薄膜晶化的影响 | 第45-48页 |
| ·辉光功率对薄膜性能的影响 | 第48-51页 |
| ·辉光功率对薄膜沉积速率和结构的影响 | 第48-50页 |
| ·功率对薄膜晶化的影响 | 第50-51页 |
| ·衬底材料对薄膜性能的影响 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读学位期间所获得的相关科研成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
