| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·GaN 基异质结材料的研究进展 | 第8-13页 |
| ·GaN 及其异质结材料在微波功率器件方面的优势 | 第9-11页 |
| ·GaN 及其异质结材料的研究进展 | 第11-13页 |
| ·GaN 基材料热退火与湿法腐蚀的研究进展与意义 | 第13-16页 |
| ·GaN 基材料热退火的研究发展 | 第13-14页 |
| ·GaN 基材料湿法腐蚀的研究发展 | 第14-16页 |
| ·本文的主要工作和安排 | 第16-18页 |
| 第二章 GaN 及其异质结材料的生长技术研究 | 第18-34页 |
| ·MOCVD 技术概述 | 第18-22页 |
| ·MOCVD 系统特点 | 第18-19页 |
| ·新型MOCVD 系统 | 第19-20页 |
| ·西电自主研制的MOCVD 系统 | 第20-22页 |
| ·GaN 材料的生长 | 第22-28页 |
| ·GaN 体晶材料的生长技术 | 第22-23页 |
| ·GaN 晶体薄膜外延生长技术 | 第23-24页 |
| ·GaN 晶体薄膜外延生长衬底材料的选择 | 第24-25页 |
| ·MOCVD 技术生长GaN 晶体薄膜的基本原理. | 第25-26页 |
| ·MOCVD 技术生长GaN 的主要工艺流程 | 第26-28页 |
| ·基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN 异质结生长研究 | 第28-33页 |
| ·蓝宝石衬底GaN 低温成核层和GaN 外延层的生长 | 第28页 |
| ·异质结以及2DEG 的基本理论 | 第28-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 关于GaN 基材料热退火的研究 | 第34-60页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·GaN 基材料退火前后的XRD 分析 | 第35-47页 |
| ·退火研究所用的GaN 基材料的工艺生长条件 | 第35页 |
| ·X 射线衍射技术概述. | 第35-36页 |
| ·GaN 基材料退火前后的XRD 数据分析. | 第36-47页 |
| ·GaN 基材料退火前后的AFM 分析 | 第47-51页 |
| ·GaN 基材料退火前后的电特性分析 | 第51-57页 |
| ·电容-电压测试(C-V) | 第51-52页 |
| ·范德堡法Hall 测试 | 第52-53页 |
| ·GaN 基材料退火前后的电特性数据分析 | 第53-57页 |
| ·本章小节 | 第57-60页 |
| 第四章 GaN 基材料腐蚀坑的研究 | 第60-72页 |
| ·引言 | 第60-61页 |
| ·腐蚀坑与位错之间的关系. | 第61-64页 |
| ·GaN 材料腐蚀后的表面形貌的电特性研究 | 第64-69页 |
| ·本章小结 | 第69-72页 |
| 第五章 结束语 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-86页 |
| 攻读硕士期间所参加的科研项目 | 第86-87页 |
