当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
Mn、Fe掺杂Ge基稀磁半导体材料的制备研究
Mn、Co、Ni掺杂ZnO稀磁半导体的制备研究
钴/铬掺杂的锗基稀磁半导体的制备研究
氧化锌MOCVD材料生长和器件应用
氧化锌薄膜及其掺杂特性
ZnTe半导体合金的第一性原理计算及其薄膜制备的研究
SnO2基纳米材料的合成及其气敏性能研究
高硼掺杂金刚石薄膜（Si/BDD）的制备及电化学性能的研究
磁控溅射法低温制备ITO透明导电薄膜工艺研究
可溶性纳米二氧化钛及其复合物的制备与表征研究
高k栅介质/半导体衬底界面的钝化和性能提升
金属/锗硅固相反应及其接触特性研究
碳材料/纳米TiO2复合光催化剂的制备及其光解水制氢性能研究
Ni/Si（110）固相反应特性研究
无定形氧化硅的相分离和纳晶硅镶嵌二氧化硅的制备
AlGaN/GaNHEMT的特性及抑制电流崩塌的研究
低压ZnO压敏陶瓷的制备及Y2O3掺杂改性研究
N面GaN外延薄膜生长研究
缺陷石墨烯的第一性原理研究
GaN材料的极化特性研究
4H-SiC材料中刃型位错的理论研究
硅基应变与弛豫材料的缺陷控制方法研究
硅基应变与弛豫材料的CVD生长动力学模型研究
InGaN/GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究
GaN HEMT非线性模型和微波功率放大器设计
高阻缓冲层与高迁移率GaN基HEMT材料生长研究
基于CFD的硅基应变材料生长动力学研究
硅基应变材料表面生长动力学模型研究
应变硅电子迁移率研究
掺N的4H-SiC第一性原理研究
纤锌矿GaN和AlGaN体材料输运特性的解析模型及其应用研究
In AlN/GaN HEMT的研制与特性分析
GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究
SrTiO3及3C-SiC物性的第一性原理研究
基于密度泛函的SiC异质结研究
SiC外延生长加热系统热场分析
Mg掺杂AlGaN的MOCVD生长以及表征
硅基应变与弛豫材料的缺陷机理与表征研究
InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究
GaN基HEMT器件集成与输出特性研究
水热法制备过渡金属掺杂ZnO及其光学性质研究
PECVD法制备非晶硅薄膜及光电性质研究
纳米折叠有源区宽谱LED工艺研究
富磷条件下生长的InP单晶体材料特性研究
磁场对导电液体材料流动状态影响的研究
电子辐照直拉硅单晶中空位相关缺陷的红外吸收光谱研究
微晶硅薄膜的制备及其性能的研究
GaN厚膜HVPE生长工艺的研究
P型硅外延片工艺技术的研究
垂直式HVPE系统制备GaN衬底材料的数值模拟研究
上一页
[60]
[61]
[62]
[63]
[64]
下一页
