甚高频等离子增强CVD法制备微晶硅锗薄膜的研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-10页
第一章 绪论	第10-15页
·研究背景	第10-11页
·硅基薄膜材料与电池的发展与研究现状	第11-12页
·硅锗薄膜材料研究的意义及研究现 状	第12-14页
·非晶硅锗薄膜材料与电池	第12页
·微晶硅锗薄膜与电池	第12-14页
·论文的主要研究内容及意义	第14-15页
第二章 薄膜生长的物理基础和材料测试方法	第15-30页
·薄膜生长的物理基础	第15-20页
·等离子体概述	第15-16页
·等离子体增强化学气相沉积	第16-18页
·薄膜的生长	第18-19页
·非晶硅锗薄膜的化学反应	第19-20页
·沉积系统的实验装置	第20-21页
·材料与器件特性表征方法	第21-30页
·薄膜厚度的测量	第21-23页
·电学特性测试	第23-24页
·材料微结构测试	第24-27页
·材料成分测试	第27-30页
第三章 锗烷浓度对硅锗薄膜性能的影响	第30-37页
·硅锗薄膜中锗含量的控制及生长速 率	第31-32页
·锗烷浓度对硅锗薄膜结构及光电特性的影响	第32-35页
·本章小结	第35-37页
第四章 硅锗薄膜沉积参数的优化	第37-54页
·衬底温度对微晶硅锗薄膜的影响	第37-40页
·反应气体压力对微晶硅锗薄膜的影 响	第40-43页
·功率对微晶硅锗薄膜的影响	第43-46页
·氢稀释对薄膜性质的影响	第46-49页
·改变气体总流量对微晶硅锗薄膜的影响	第49-52页
·本章小结	第52-54页
第五章 结论	第54-55页
参考文献	第55-60页
攻读学位期间所取得的相关科研成果	第60-61页
致谢	第61页