| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 综述 | 第8-26页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·GAN的基本晶体结构参数 | 第9-11页 |
| ·GAN多量子阱LED的电学性质 | 第11-12页 |
| ·pn结的电子空穴注入 | 第11-12页 |
| ·GAN多量子阱LED的光学性质 | 第12-13页 |
| ·内量子效率 | 第12页 |
| ·外量子效率 | 第12-13页 |
| ·主波长,峰值波长,光通量 | 第13页 |
| ·P型欧姆接触 | 第13-16页 |
| ·P型欧姆接触原理 | 第13-15页 |
| ·P型欧姆接触的研究现状 | 第15-16页 |
| ·钝化层 | 第16-20页 |
| ·钝化层的必要性 | 第16-17页 |
| ·钝化层的生长方法 | 第17-18页 |
| ·钝化层的研究现状 | 第18-20页 |
| ·化层应力的相关研究 | 第18-19页 |
| ·钝化层的增透性的相关研究 | 第19页 |
| ·钝化层增强LED的稳定性能 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究内容 | 第20页 |
| 参考文献 | 第20-26页 |
| 第二章 SION薄膜的性能以及对LED外量子效率的研究 | 第26-33页 |
| ·PECVD参数对SION薄膜性能的影响 | 第26-30页 |
| ·实验 | 第26-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-30页 |
| ·结论 | 第30页 |
| ·SION薄膜提高LED外量子效率的影响 | 第30-31页 |
| ·实验 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31页 |
| ·结论 | 第31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 SION钝化层对蓝绿光GAN基LED老化性能的研究 | 第33-56页 |
| ·特大电流密度老化对不同SION钝化层绿光LED性能的影响 | 第33-41页 |
| ·实验 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-41页 |
| ·结论 | 第41页 |
| ·不同电流老化对有无钝化层绿光LED光电性能的影响 | 第41-45页 |
| ·实验 | 第41-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-45页 |
| ·结论 | 第45页 |
| ·不同电流老化对有无钝化层蓝光LED光电性能的影响 | 第45-49页 |
| ·实验 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| ·老化温度对有无钝化层蓝光LED性能的影响 | 第49-51页 |
| ·实验 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-51页 |
| ·结论 | 第51页 |
| ·蓝绿光有无钝化层LEDs的性能对比 | 第51-53页 |
| ·实验 | 第51-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-53页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 合金条件对P电极光电性能的影响 | 第56-70页 |
| ·退火温度以及MG激活条件对于P电极反射率的影响 | 第56-60页 |
| ·实验 | 第56-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-60页 |
| ·结论 | 第60页 |
| ·退火温度与MG激活条件对于P电极Ⅳ特性的影响 | 第60-68页 |
| ·实验 | 第60-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-67页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第5章 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第72页 |
