摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-13页 |
第一章 绪论 | 第13-21页 |
·选题背景和意义 | 第13-14页 |
·国内外研究现状 | 第14-19页 |
·SrTiO_3透明半导体材料的研究进展 | 第14-17页 |
·SrTiO_3—TFT的研究现状 | 第17-18页 |
·Sr_2TiO_4透明半导体材料的研究进展 | 第18-19页 |
·本文的主要工作和研究内容 | 第19-21页 |
第二章 理论研究方法 | 第21-39页 |
·第一性原理计算方法简介 | 第21页 |
·密度泛函理论简介 | 第21-26页 |
·Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
·Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
·交换关联能量 | 第24-26页 |
·CASTEP基本原理与方法 | 第26-34页 |
·超晶胞方法 | 第27-28页 |
·赝势平面波方法 | 第28-31页 |
·自洽场计算和结构优化 | 第31-32页 |
·电子结构 | 第32-34页 |
·DMol3基本原理与方法 | 第34-37页 |
·自洽计算 | 第34-36页 |
·数值基组 | 第36页 |
·结构优化 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-39页 |
第三章 n,p型SrTiO_3掺杂的理论研究 | 第39-65页 |
·理论模型与计算方法 | 第39-42页 |
·理论模型 | 第39-40页 |
·计算方法 | 第40-41页 |
·光学性质的理论描述 | 第41-42页 |
·n型SrTiO_3掺杂理论研究 | 第42-56页 |
·几何结构和稳定性分析 | 第42-44页 |
·杂质形成能和电离能 | 第44-45页 |
·电子结构 | 第45-53页 |
·光学性质 | 第53-55页 |
·小结 | 第55-56页 |
·p型SrTiO_3掺杂理论研究 | 第56-65页 |
·几何结构和稳定性分析 | 第56-57页 |
·杂质形成能和电离能 | 第57-58页 |
·电子结构 | 第58-61页 |
·光学性质 | 第61-63页 |
·小结 | 第63-65页 |
第四章 n,p型Sr_2TiO_4掺杂的理论研究 | 第65-101页 |
·理想Sr_2TiO_4的电子结构和光学性质 | 第65-71页 |
·理论模型 | 第65-66页 |
·计算方法 | 第66-67页 |
·计算结果与讨论 | 第67-70页 |
·结论 | 第70-71页 |
·Sr_2TiO_4中的施主掺杂 | 第71-89页 |
·理论模型 | 第71页 |
·计算方法 | 第71-72页 |
·Nb掺杂Sr_2TiO_4 | 第72-78页 |
·La掺杂Sr_2TiO_4 | 第78-82页 |
·氧空位对Sr_(1.9375)La_(0.0625)TiO_4材料电学性质的影响 | 第82-88页 |
·小结 | 第88-89页 |
·Sr_2TiO_4中的受主掺杂 | 第89-101页 |
·理论模型和计算方法 | 第89页 |
·In掺杂Sr_2TiO_4 | 第89-94页 |
·Sc掺杂Sr_2TiO_4 | 第94-99页 |
·小结 | 第99-101页 |
第五章 CO分子吸附在SrTiO_3(100)表面的性能研究 | 第101-123页 |
·SrTiO_3(100)清洁表面电子结构 | 第102-108页 |
·理论模型 | 第102-104页 |
·计算方法 | 第104页 |
·计算结果与讨论 | 第104-108页 |
·CO吸附SrTiO_3(100)完整表面的性能研究 | 第108-113页 |
·理论模型和计算方法 | 第108-109页 |
·结构和能量特征 | 第109-111页 |
·表面电子结构 | 第111-113页 |
·CO吸附在含有氧空位SrTiO_3(100)表面的性能研究 | 第113-121页 |
·理论模型和计算方法 | 第114-115页 |
·结构和能量特征 | 第115-117页 |
·表面电子结构 | 第117-121页 |
·本章小结 | 第121-123页 |
第六章 工作总结和展望 | 第123-127页 |
·工作总结 | 第123-125页 |
·主要创新点 | 第125-126页 |
·下一步工作展望 | 第126-127页 |
参考文献 | 第127-147页 |
攻读博士学位期间的研究成果和获奖情况 | 第147-149页 |
致谢 | 第149-150页 |