首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--化合物半导体论文

钙钛矿型氧化物半导化掺杂与表面吸附光电特性的理论研究

摘要第1-6页
Abstract第6-13页
第一章 绪论第13-21页
   ·选题背景和意义第13-14页
   ·国内外研究现状第14-19页
     ·SrTiO_3透明半导体材料的研究进展第14-17页
     ·SrTiO_3—TFT的研究现状第17-18页
     ·Sr_2TiO_4透明半导体材料的研究进展第18-19页
   ·本文的主要工作和研究内容第19-21页
第二章 理论研究方法第21-39页
   ·第一性原理计算方法简介第21页
   ·密度泛函理论简介第21-26页
     ·Hohenberg-Kohn定理第22-23页
     ·Kohn-Sham方程第23-24页
     ·交换关联能量第24-26页
   ·CASTEP基本原理与方法第26-34页
     ·超晶胞方法第27-28页
     ·赝势平面波方法第28-31页
     ·自洽场计算和结构优化第31-32页
     ·电子结构第32-34页
   ·DMol3基本原理与方法第34-37页
     ·自洽计算第34-36页
     ·数值基组第36页
     ·结构优化第36-37页
   ·本章小结第37-39页
第三章 n,p型SrTiO_3掺杂的理论研究第39-65页
   ·理论模型与计算方法第39-42页
     ·理论模型第39-40页
     ·计算方法第40-41页
     ·光学性质的理论描述第41-42页
   ·n型SrTiO_3掺杂理论研究第42-56页
     ·几何结构和稳定性分析第42-44页
     ·杂质形成能和电离能第44-45页
     ·电子结构第45-53页
     ·光学性质第53-55页
     ·小结第55-56页
   ·p型SrTiO_3掺杂理论研究第56-65页
     ·几何结构和稳定性分析第56-57页
     ·杂质形成能和电离能第57-58页
     ·电子结构第58-61页
     ·光学性质第61-63页
     ·小结第63-65页
第四章 n,p型Sr_2TiO_4掺杂的理论研究第65-101页
   ·理想Sr_2TiO_4的电子结构和光学性质第65-71页
     ·理论模型第65-66页
     ·计算方法第66-67页
     ·计算结果与讨论第67-70页
     ·结论第70-71页
   ·Sr_2TiO_4中的施主掺杂第71-89页
     ·理论模型第71页
     ·计算方法第71-72页
     ·Nb掺杂Sr_2TiO_4第72-78页
     ·La掺杂Sr_2TiO_4第78-82页
     ·氧空位对Sr_(1.9375)La_(0.0625)TiO_4材料电学性质的影响第82-88页
     ·小结第88-89页
   ·Sr_2TiO_4中的受主掺杂第89-101页
     ·理论模型和计算方法第89页
     ·In掺杂Sr_2TiO_4第89-94页
     ·Sc掺杂Sr_2TiO_4第94-99页
     ·小结第99-101页
第五章 CO分子吸附在SrTiO_3(100)表面的性能研究第101-123页
   ·SrTiO_3(100)清洁表面电子结构第102-108页
     ·理论模型第102-104页
     ·计算方法第104页
     ·计算结果与讨论第104-108页
   ·CO吸附SrTiO_3(100)完整表面的性能研究第108-113页
     ·理论模型和计算方法第108-109页
     ·结构和能量特征第109-111页
     ·表面电子结构第111-113页
   ·CO吸附在含有氧空位SrTiO_3(100)表面的性能研究第113-121页
     ·理论模型和计算方法第114-115页
     ·结构和能量特征第115-117页
     ·表面电子结构第117-121页
   ·本章小结第121-123页
第六章 工作总结和展望第123-127页
   ·工作总结第123-125页
   ·主要创新点第125-126页
   ·下一步工作展望第126-127页
参考文献第127-147页
攻读博士学位期间的研究成果和获奖情况第147-149页
致谢第149-150页

论文共150页,点击 下载论文
上一篇:古建筑数字化及三维建模关键技术研究
下一篇:LD侧面泵浦多晶Nd:YAG陶瓷BBO电光调Q窄脉宽绿光、紫外光激光器研究