| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-19页 |
| ·课题研究意义及背景 | 第13-14页 |
| ·Si、SiC的研究意义 | 第13-14页 |
| ·辐照损伤对半导体材料的影响 | 第14页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-16页 |
| ·缺陷Si的结构和电子特性研究现状 | 第14-15页 |
| ·SiC结构和电子特性实验研究现状 | 第15页 |
| ·SiC结构和电子特性理论模拟研究现状 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要工作 | 第16-19页 |
| 第二章 方法软件介绍 | 第19-27页 |
| ·第一性原理计算的基本概念 | 第19页 |
| ·密度泛函的基本理论 | 第19-23页 |
| ·Kohn-Sham(沈吕九)方程 | 第20-21页 |
| ·局域密度泛函近似(LDA) | 第21-22页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第22-23页 |
| ·布洛赫定理 | 第23页 |
| ·第一性原理VASP软件介绍 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 缺陷Si结构和电子特性 | 第27-39页 |
| ·理想模型 | 第27页 |
| ·计算方法 | 第27-28页 |
| ·晶体结构计算 | 第28-29页 |
| ·能带结构分析 | 第29-31页 |
| ·电子态密度分析 | 第31-32页 |
| ·有效质量计算 | 第32-34页 |
| ·有效质量的意义 | 第32-33页 |
| ·有效质量计算步骤 | 第33-34页 |
| ·迁移率计算 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 缺陷4H-SiC结构和电子特性 | 第39-45页 |
| ·理想模型 | 第39-40页 |
| ·计算方法 | 第40页 |
| ·晶体结构计算 | 第40页 |
| ·能带结构分析 | 第40-43页 |
| ·迁移率计算 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 TM掺杂3C-SiC磁学性质第一性原理计算 | 第45-52页 |
| ·理想模型 | 第45页 |
| ·计算方法 | 第45-46页 |
| ·结构优化 | 第46-47页 |
| ·磁学性能的计算结果 | 第47-48页 |
| ·Cr的掺杂浓度对3C-SiC半导体性质的影响 | 第48-49页 |
| ·Cr掺杂3C-SiC磁性来源的讨论 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 发表论文 | 第59-60页 |
| 作者和导师简介 | 第60-61页 |
| 硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第61-62页 |