当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
高阻缓冲层与高迁移率GaN基HEMT材料生长研究
GaN耿氏二极管及振荡器设计
GaN MOSFET器件的研究
GaN基IMPATT二极管太赫兹研究
高性能应变SiGe PMOSFET器件结构设计与关键工艺研究
基于CFD的硅基应变材料生长动力学研究
硅基应变材料表面生长动力学模型研究
应变硅电子迁移率研究
新型阵列式发光二极管的关键工艺研究
AlGaN/AlN/GaN 异质结二维电子气的磁输运特性研究
存储器辐照总剂量试验方法研究
高k介质MOS器件隧穿低频噪声模型研究
异质栅器件的短沟道效应研究
掺N的4H-SiC第一性原理研究
一款宽电压高恒流精度的LED驱动控制芯片设计
纤锌矿GaN和AlGaN体材料输运特性的解析模型及其应用研究
大功率LED管芯制造工艺研究
凹槽栅MOS-HEMTs器件的制备和特性分析
高k栅介质AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性研究
应变硅MOSFET热载流子研究
In AlN/GaN HEMT的研制与特性分析
GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究
GaN基LED表面粗化结构制备技术研究
新型4H-SiC功率MOSFET器件研究
SrTiO3及3C-SiC物性的第一性原理研究
基于密度泛函的SiC异质结研究
新型SiC光导开关特性研究
InP基HBT的数值仿真研究
4H-SiC功率MOSFET的研究及升压转换应用
高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究
SiC外延生长加热系统热场分析
BOSCH 车用大功率雪崩整流二极管的设计与制造
GaN基双异质结构研究
Mg掺杂AlGaN的MOCVD生长以及表征
薄势垒增强型器件的制备与特性分析
双轴应变硅MOS器件的自热效应研究
16通道恒流LED驱动芯片的设计
高性能SiGe HBT结构设计与制造技术研究
AlGaN/GaN HEMT退化机制及抑制方法
应变SiGe PMOSFET制造工艺与热载流子效应研究
硅基应变与弛豫材料的缺陷机理与表征研究
纳米MOSFET散粒噪声及输运机制研究
InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究
4H-SiC PiN二极管少子寿命的研究
PIN二极管在快上升沿电磁脉冲下的毁伤机理研究
AlGaN/GaN HEMT功率器件测试及封装技术研究
GaAs基共振隧穿二极管的材料结构研究
GaN基HEMT器件集成与输出特性研究
应变对NMOSFET性能影响的研究
压力对MOSFET跨导调制的研究
上一页
[195]
[196]
[197]
[198]
[199]
下一页
