| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·InN 基材料的特性和优势 | 第11-14页 |
| ·InN 基材料和器件的研究进展 | 第14-21页 |
| ·InN 基材料的发展历程 | 第14-17页 |
| ·InN 基材料在光电器件中的应用研究与进展 | 第17-18页 |
| ·InN 基材料在电子器件中的应用研究与进展 | 第18-20页 |
| ·目前存在的问题和本文的研究意义 | 第20-21页 |
| ·本文主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 InGaN 材料的生长与表征 | 第23-45页 |
| ·InGaN 材料生长理论 | 第23-27页 |
| ·InGaN 薄膜材料生长理论 | 第23-26页 |
| ·MOCVD 系统简介及本章 实验目的 | 第26-27页 |
| ·InGaN 薄膜生长工艺的初步探索(实验1) | 第27-32页 |
| ·实验过程 | 第27-28页 |
| ·样品的XRD(X 射线衍射)研究 | 第28-29页 |
| ·样品的AFM(原子力显微镜)研究 | 第29-30页 |
| ·样品的PL(光致荧光)研究 | 第30-31页 |
| ·样品C 的TEM(透射电镜)研究 | 第31-32页 |
| ·实验小结 | 第32页 |
| ·V/III 比对InGaN 薄膜特性的影响(实验2) | 第32-38页 |
| ·实验过程 | 第32-33页 |
| ·样品的XRD 研究 | 第33-34页 |
| ·样品的AFM 研究 | 第34-36页 |
| ·样品的PL 和Raman(拉曼光谱)研究 | 第36-38页 |
| ·实验小结 | 第38页 |
| ·生长温度对InGaN 薄膜特性的影响(实验3) | 第38-43页 |
| ·实验过程 | 第38-39页 |
| ·样品的XRD 研究 | 第39-40页 |
| ·样品的AFM 研究 | 第40-41页 |
| ·样品的PL 和SIMS(二次离子质谱)研究 | 第41-42页 |
| ·样品的Raman 研究 | 第42-43页 |
| ·实验小结 | 第43页 |
| ·本章 总结 | 第43-45页 |
| 第三章 含InGaN 薄膜的GaN 异质结构的生长与特性研究 | 第45-63页 |
| ·引言 | 第45-48页 |
| ·InN 基HEMT 理论 | 第45-46页 |
| ·InGaN 薄膜材料在GaN 异质结构中的应用 | 第46-48页 |
| ·InGaN 沟道HEMT 异质结构(1) | 第48-54页 |
| ·势垒层/8nm-In_(0.03)Ga_(0.97）N/GaN 异质结构的设计与生 | 第49页 |
| ·样品的XRD 和AFM 研究 | 第49-51页 |
| ·样品的电特性分析 | 第51-53页 |
| ·实验小结 | 第53-54页 |
| ·InGaN 沟道HEMT 异质结构(2) | 第54-58页 |
| ·AlGaN/InxGa1-xN/GaN 异质结构的设计与生长 | 第54页 |
| ·样品的XRD、AFM 和PL 研究 | 第54-56页 |
| ·样品的电特性分析 | 第56-57页 |
| ·实验小结 | 第57-58页 |
| ·InGaN 背势垒HEMT 异质结构 | 第58-61页 |
| ·AlGaN/GaN/7nm-In_(0.03)Ga_(0.97)N /GaN 异质结构的模拟仿 | 第58页 |
| ·AlGaN/GaN/7nm-In_(0.03)Ga_(0.97)N /GaN 异质结构的设计及生 | 第58-59页 |
| ·样品XRD、AFM 和PL 研究以及电特性分析 | 第59-61页 |
| ·本章 总结 | 第61-63页 |
| 第四章 InN 材料的生长与表征 | 第63-81页 |
| ·引言 | 第63-65页 |
| ·InN 材料生长的困难性 | 第63-64页 |
| ·衬底对InN 材料生长的影响 | 第64-65页 |
| ·蓝宝石衬底上InN 的材料生长与特性分析 | 第65-71页 |
| ·实验过程 | 第65-67页 |
| ·蓝宝石衬底上InN 材料的特性分析 | 第67-71页 |
| ·实验小结 | 第71页 |
| ·GaN 缓冲层/Sapphire 衬底上InN 材料的生长与特性分析 | 第71-76页 |
| ·实验过程 | 第72页 |
| ·GaN 缓冲层/Sapphire 衬底上InN 材料的特性分析 | 第72-76页 |
| ·实验小结 | 第76页 |
| ·Si 衬底上 InN 材料的生长与特性分析 | 第76-80页 |
| ·实验过程 | 第76页 |
| ·Si 衬底上 InN 材料的特性分析 | 第76-79页 |
| ·实验小结 | 第79-80页 |
| ·本章总结 | 第80-81页 |
| 第五章 结论 | 第81-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-95页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第95-97页 |
