| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的研究进展 | 第8-11页 |
| ·GaN 材料在微波功率器件方面的优势 | 第8-10页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的研究进展 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN MOS-HEMT 器件的研究意义 | 第11-14页 |
| ·AlGaN/GaN-MOS-HEMT 器件的研究进展 | 第11-13页 |
| ·新型MOS-HEMT 栅介质材料的选择 | 第13-14页 |
| ·本论文研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 MOS-HEMT 器件基本原理 | 第16-26页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料的极化效应 | 第16-19页 |
| ·MOS-HEMT 器件的结构与制备 | 第19-22页 |
| ·AlGaN/GaN MOS-HEMT 器件的基本结构 | 第19-20页 |
| ·AlGaN/GaN MOS-HEMT 器件的制备 | 第20-21页 |
| ·高k 栅介质的制备工艺 | 第21-22页 |
| ·AlGaN/GaN MOS-HEMT 的工作机理 | 第22-25页 |
| ·器件直流特性 | 第22-24页 |
| ·器件频率特性 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 GaN 基器件仿真工具与基本模型 | 第26-38页 |
| ·GaN 基器件仿真的软件平台 | 第26-28页 |
| ·TCAD 工具简介 | 第26-27页 |
| ·器件仿真软件ATLAS 概述 | 第27-28页 |
| ·基本材料参数的设置 | 第28-29页 |
| ·ATLAS 中的方程与物理模型 | 第29-33页 |
| ·模拟MOS-HEMT 器件的研究方法 | 第33-36页 |
| ·极化效应 | 第33页 |
| ·电极的定义 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章AlGaN/GaN MOS-HEMT 器件基本特性仿真 | 第38-48页 |
| ·模拟的MOS-HEMT 器件基本结构 | 第38-39页 |
| ·MOS-HEMT 器件仿真特性分析 | 第39-41页 |
| ·不同参数对MOS-HEMT 器件特性的影响 | 第41-45页 |
| ·栅氧化层厚度变化的影响 | 第41-43页 |
| ·介电常数变化的影响 | 第43-45页 |
| ·GaN 基MOS-HEMT 器件温度特性模拟 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 Hf 基高k 栅介质MOS-HEMT 器件特性研究 | 第48-54页 |
| ·Hf 基高k 栅介质的材料特性 | 第48-49页 |
| ·HfSiO/AlGaN/GaN MOS-HEMT 器件特性 | 第49-53页 |
| ·器件结构及制备 | 第49-50页 |
| ·器件特性分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结束语 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
