| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-9页 |
| ·本文的主要工作 | 第9-11页 |
| 第二章 硅基应变材料的性质与缺陷机理研究 | 第11-21页 |
| ·硅基应变材料的性质 | 第11-14页 |
| ·应变硅和应变锗硅的形成 | 第11-12页 |
| ·晶格常数 | 第12页 |
| ·能带结构 | 第12-13页 |
| ·迁移率的增强机理 | 第13-14页 |
| ·缺陷机理 | 第14-21页 |
| ·点缺陷 | 第14-15页 |
| ·线缺陷 | 第15-18页 |
| ·面缺陷 | 第18-20页 |
| ·体缺陷 | 第20-21页 |
| 第三章 硅基应变与弛豫材料中位错的行为研究 | 第21-37页 |
| ·位错的滑移与攀移 | 第21-26页 |
| ·位错的滑移（Dislocation Glide） | 第21-24页 |
| ·位错的攀移 | 第24-26页 |
| ·位错的产生机制 | 第26-32页 |
| ·Frank-Read 增殖机制 | 第26-28页 |
| ·MFR（modified Frank-Read）增殖机制 | 第28-31页 |
| ·其他滑移机制 | 第31-32页 |
| ·位错间的交互作用 | 第32-37页 |
| ·位错间的吸引与排斥 | 第32-33页 |
| ·位错的交割 | 第33-34页 |
| ·割阶与扭折 | 第34-37页 |
| 第四章 硅基应变材料缺陷的表征研究 | 第37-59页 |
| ·透射电子显微镜表征研究 | 第37-45页 |
| ·TEM 的结构 | 第37-38页 |
| ·TEM 工作原理 | 第38-39页 |
| ·样品的制备 | 第39-41页 |
| ·TEM 实验研究 | 第41-45页 |
| ·位错密度的微分干涉显微镜表征研究 | 第45-50页 |
| ·腐蚀法原理 | 第45-46页 |
| ·腐蚀液配方 | 第46-47页 |
| ·微分干涉显微镜（DIC） | 第47-48页 |
| ·实验步骤 | 第48-50页 |
| ·腐蚀图形分析 | 第50-59页 |
| ·Dash 腐蚀液的腐蚀 | 第50-51页 |
| ·铬酸腐蚀液 | 第51-56页 |
| ·梯度法腐蚀 | 第56-57页 |
| ·对腐蚀液配方的改进 | 第57页 |
| ·适用于硅基应变材料的腐蚀方法 | 第57-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第67-68页 |