| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·国内外SiGe/Si技术的发展动态 | 第7-9页 |
| ·本论文主要工作 | 第9-11页 |
| 第二章 应变SiGe器件基本物理特性 | 第11-19页 |
| ·SiGe材料的形成及其特点 | 第11-13页 |
| ·SiGe晶格结构的分析 | 第11-12页 |
| ·SiGe 合金禁带宽度 | 第12-13页 |
| ·应变SiGe本征载流子浓度和有效态密度 | 第13-17页 |
| ·应变SiGe载流子有效质量 | 第14-15页 |
| ·应变SiGe载流子迁移率模型 | 第15-17页 |
| 2. 3 本章小结 | 第17-19页 |
| 第三章 应变SiGe PMOSFET电学特性研究 | 第19-35页 |
| ·SiGe PMOSFET的基本结构和工作原理 | 第19-20页 |
| ·应变对能带的影响 | 第20-21页 |
| ·应变SiGe PMOSFET的电学模型 | 第21-27页 |
| ·阈值电压 | 第21-23页 |
| ·I-V 特性及跨导 | 第23-24页 |
| ·频率特性 | 第24页 |
| ·模型仿真 | 第24-27页 |
| ·器件结构参数优化设计 | 第27-33页 |
| ·Si 帽层 | 第27-28页 |
| ·栅氧层 | 第28-29页 |
| ·Ge组分 | 第29-32页 |
| ·SiGe层厚度 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 SiGe PMOSFET 器件制备关键工艺技术研究 | 第35-65页 |
| ·离子注入 | 第35-48页 |
| ·核碰撞和电子碰撞 | 第35-36页 |
| ·注入射程估计 | 第36-37页 |
| ·杂质分布 | 第37-47页 |
| ·沟道注入 | 第47-48页 |
| ·退火 | 第48-60页 |
| ·离子注入造成的损伤 | 第49-51页 |
| ·退火温度的影响 | 第51-52页 |
| ·热退火过程中的扩散效应 | 第52-57页 |
| ·退火对器件性能的影响 | 第57-59页 |
| ·快速退火 | 第59-60页 |
| ·SiGe外延生长 | 第60-61页 |
| ·温度对外延层质量的影响 | 第60页 |
| ·外延层生长速率 | 第60-61页 |
| ·LDD 结构 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 SiGe PMOSFET 工艺优化及器件仿真 | 第65-71页 |
| ·工艺优化 | 第65-66页 |
| 5. 2 应变SiGe PMOSFET工艺仿真 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |