| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·GaN 材料概述 | 第10-12页 |
| ·GaN 材料的介绍 | 第10-11页 |
| ·GaN 材料微波功率的优势 | 第11-12页 |
| ·太赫兹波定义和特点 | 第12-14页 |
| ·太赫兹波的应用前景 | 第14-17页 |
| ·本文的结构和主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 IMPATT 二极管器件机理及仿真方法 | 第20-28页 |
| ·IMPATT 二极管基本工作原理 | 第20-25页 |
| ·静态特性 | 第20-21页 |
| ·动态特性 | 第21-24页 |
| ·功率和频率 | 第24-25页 |
| ·器件仿真平台ATLAS 介绍 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 GaN 基IMPATT 二极管仿真分析 | 第28-46页 |
| ·IMPATT 二极管计算仿真模型 | 第28-30页 |
| ·漂移-扩散模型 | 第28-29页 |
| ·直流特性分析 | 第29页 |
| ·小信号分析 | 第29-30页 |
| ·低-高-低型单漂移区IMPATT 二极管设计仿真 | 第30-36页 |
| ·直流特性仿真 | 第32-34页 |
| ·高频和功率特性 | 第34-36页 |
| ·普通单漂移区IMPATT 二极管设计仿真 | 第36-40页 |
| ·直流特性仿真 | 第38-39页 |
| ·高频和功率特性 | 第39-40页 |
| ·双漂移区IMPATT 二极管设计仿真 | 第40-44页 |
| ·直流特性仿真 | 第42-43页 |
| ·高频和功率特性 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 GaN 基IMPATT 器件结构和效应的研究 | 第46-62页 |
| ·自建迁移率模型对IMPATT 二极管温度特性的分析 | 第46-52页 |
| ·GaN 的迁移率模型 | 第46-48页 |
| ·AlGaN 的迁移率模型 | 第48-50页 |
| ·GaN 基IMPATT 器件温度特性仿真 | 第50-52页 |
| ·异质结型IMPATT 二极管仿真分析 | 第52-56页 |
| ·异质结及2DEG 的基本理论 | 第52-54页 |
| ·GaN 基异质结IMPATT 二极管性能分析 | 第54-56页 |
| ·IMPATT 二极管中的一些效应考虑 | 第56-61页 |
| ·IMPATT 二极管的功率-频率限制 | 第56-57页 |
| ·IMPATT 二极管的热学限制 | 第57-58页 |
| ·GaN 基IMPATT 二极管P 型掺杂的问题 | 第58-60页 |
| ·GaN 基IMPATT 二极管中串联电阻的问题 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结束语 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第74-75页 |
