存储器辐照总剂量试验方法研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景 | 第7页 |
| ·研究现状和主要问题 | 第7-11页 |
| ·国内外发展现状 | 第7-8页 |
| ·本文研究内容及论文结构 | 第8-11页 |
| 第二章 MOS 电路辐射损伤表征研究 | 第11-25页 |
| ·辐射环境 | 第11-12页 |
| ·空间辐射环境 | 第11页 |
| ·辐射剂量表征 | 第11-12页 |
| ·辐照效应及辐射损伤机理 | 第12-16页 |
| ·总剂量效应 | 第13页 |
| ·剂量率效应 | 第13页 |
| ·单粒子效应 | 第13-14页 |
| ·辐射损伤机理 | 第14-16页 |
| ·MOS 器件辐照损伤机理研究 | 第16-23页 |
| ·Si0_2 介质材料的器件应用 | 第16-17页 |
| ·Si0_2 介质材料辐射损伤机理 | 第17-20页 |
| ·MOS 器件辐射电参数的退化 | 第20-23页 |
| ·小结 | 第23-25页 |
| 第三章 存储器辐照试验方法研究分析 | 第25-41页 |
| ·存储器的工作原理 | 第26-27页 |
| ·EEPROM 存储器的工作原理 | 第26页 |
| ·闪烁存储器的工作原理 | 第26页 |
| ·铁电存储器的工作原理 | 第26-27页 |
| ·存储器失效机理 | 第27页 |
| ·耐久力特性 | 第27页 |
| ·数据保持力特性 | 第27页 |
| ·总剂量试验分析 | 第27-30页 |
| ·存储器辐射剂量率分析 | 第30-37页 |
| ·模拟试验与空间辐射环境剂量率的差异 | 第30-31页 |
| ·美国宇航局剂量率选择规律 | 第31-36页 |
| ·不同剂量率辐射器件失效机理研究 | 第36-37页 |
| ·存储器辐照后电参数测试的研究 | 第37-40页 |
| ·存储器辐照影响 | 第37页 |
| ·工作模式对试验结果的影响研究 | 第37-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第四章 高温加速退火对试验结果影响的研究 | 第41-47页 |
| ·试验样品及条件 | 第41-42页 |
| ·试验程序 | 第42-43页 |
| ·试验结果及分析 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-51页 |
| ·本文主要工作及结论 | 第47-50页 |
| ·展望 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
