| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的研究背景 | 第9-11页 |
| ·GaN 用于微波功率器件的优势 | 第9-10页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的研究进展 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 可靠性研究现状 | 第11-15页 |
| ·本文的主要工作安排 | 第15-17页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 的制造 | 第17-27页 |
| ·GaN 及AlGaN/GaN HEMT 的基本理论 | 第17-19页 |
| ·GaN 基材料 | 第17-18页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的工作原理 | 第18-19页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的制造 | 第19-23页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料的生长 | 第19-20页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的制造工艺 | 第20-23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的直流特性 | 第23-24页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的直流特性 | 第23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的测试 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-27页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 电应力退化研究 | 第27-43页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的退化现象 | 第27-28页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的三种退化模型 | 第28-31页 |
| ·热电子注入 | 第28-29页 |
| ·栅极电子注入 | 第29-30页 |
| ·逆压电效应 | 第30-31页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的退化机制研究 | 第31-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 质子辐照研究 | 第43-51页 |
| ·质子辐照理论及研究现状 | 第43-44页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 质子辐照退化机制研究 | 第44-47页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 质子辐照实验 | 第44-45页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 质子辐照退化机制分析 | 第45-47页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 质子辐照加固研究 | 第47-50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 质子辐照加固手段 | 第47-48页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 质子辐照加固处理 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士期间参加的科研项目 | 第60-61页 |
