| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题目的与意义 | 第7-8页 |
| ·InP基HBT的发展现状与趋势 | 第8-9页 |
| ·器件模拟的概述 | 第9-10页 |
| ·本文的主要工作及论文结构安排 | 第10-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第10页 |
| ·论文结构安排 | 第10-13页 |
| 第二章 InP基HBT器件结构及其物理模型 | 第13-25页 |
| ·InP HBT器件工作机理 | 第13-14页 |
| ·InP HBT材料参数与物理模型 | 第14-21页 |
| ·复合模型 | 第14-15页 |
| ·迁移率模型 | 第15-20页 |
| ·热电子发射模型 | 第20-21页 |
| ·器件仿真基本模型 | 第21-23页 |
| ·漂移扩散模型 | 第21-22页 |
| ·流体动力学模型 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 InP/InGaAs异质结器件仿真研究 | 第25-37页 |
| ·InP/InGaAs SHBT器件结构 | 第25-26页 |
| ·InP/InGaAs SHBT的器件仿真结果与分析 | 第26-35页 |
| ·直流特性分析 | 第26-32页 |
| ·交流特性分析 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 InP基双极器件的制造技术研究 | 第37-47页 |
| ·Ledge技术 | 第37-40页 |
| ·空气桥工艺 | 第40-43页 |
| ·自对准金属侧墙技术 | 第43-47页 |
| 第五章 研究总结 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第55-57页 |
| 附录A Dessis软件中定义的InP材料参数表 | 第57-58页 |
| 附录B Dessis软件中定义的In_(0.53)Ga_(0.47)As材料参数表 | 第58-59页 |