| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的优势 | 第7-9页 |
| ·4H-SiC PiN二极管少子寿命的相关研究及进展 | 第9-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 4H-SiC PiN二极管特性与少子寿命的关系 | 第11-23页 |
| ·少子寿命的测量和控制 | 第11-15页 |
| ·少子寿命的测量技术 | 第11-14页 |
| ·少子寿命的控制技术 | 第14-15页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的直流特性与少子寿命的关系 | 第15-19页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的正向导通特性与少子寿命的关系 | 第16-18页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的阻断特性与少子寿命的关系 | 第18-19页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的开关特性与少子寿命的关系 | 第19-21页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的反向恢复时间 | 第20页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的开关特性与少子寿命的关系 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 4H-SiC PiN二极管特性的模拟 | 第23-37页 |
| ·4H-SiC PiN二极管数值模型的选取 | 第23-28页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的数值模拟 | 第24-25页 |
| ·4H-SiC PiN二极管模型与材料参数的选取 | 第25-28页 |
| ·4H-SiC PiN二极管直流特性的模拟 | 第28-33页 |
| ·4H-SiC PiN二极管正向导通特性的模拟 | 第29-32页 |
| ·4H-SiC PiN二极管反向击穿特性的模拟 | 第32-33页 |
| ·4H-SiC PiN二极管开关特性的模拟 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 少子寿命控制技术的研究 | 第37-49页 |
| ·4H-SiC PiN二极管的辐照特性的模拟 | 第37-39页 |
| ·电子辐照对少子寿命的控制 | 第39-42页 |
| ·局部少子寿命控制对4H-SiC PiN二极管的影响 | 第42-46页 |
| ·对正向特性的影响 | 第43-44页 |
| ·对开关特性的影响 | 第44-45页 |
| ·局部少子寿命控制的优势 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-49页 |
| 第五章 研究总结 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
