| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·应变硅技术应用 | 第7-8页 |
| ·应变硅技术发展状况 | 第8页 |
| ·应变硅MOSFET热载流子效应研究重要性 | 第8-9页 |
| ·本文主要工作及任务 | 第9-11页 |
| 第二章 应变硅技术 | 第11-19页 |
| ·应变硅基本物理特性 | 第11-12页 |
| ·应变硅器件类型 | 第12-13页 |
| ·应变硅MOSFET基本结构 | 第13-19页 |
| ·全局应变 | 第13-14页 |
| ·局部应变 | 第14-17页 |
| ·机械力致应变 | 第17-19页 |
| 第三章 应变硅MOSFET热载流子效应研究 | 第19-45页 |
| ·热载流子效应 | 第19-21页 |
| ·衬底热载流子效应 | 第19-20页 |
| ·沟道热载流子效应 | 第20-21页 |
| ·热载流子效应引起的失效机理研究 | 第21-24页 |
| ·热载流子效应与衬底电流 | 第24-38页 |
| ·衬底电流分析 | 第24-28页 |
| ·衬底电流仿真结果及分析 | 第28-38页 |
| ·热载流子效应与阈值电压 | 第38-42页 |
| ·阈值电压分析 | 第39-41页 |
| ·阈值电压仿真结果及分析 | 第41-42页 |
| ·热载流子效应与跨导 | 第42-45页 |
| ·跨导分析 | 第42-43页 |
| ·跨导仿真结果及分析 | 第43-45页 |
| 第四章 LDD结构应变硅MOSFET热载流子效应研究 | 第45-61页 |
| ·LDD结构应变硅MOSFET和热载流子效应 | 第45-47页 |
| ·MOSFET电场和热载流子效应 | 第45-46页 |
| ·LDD结构抑制热载流子效应分析 | 第46-47页 |
| ·LDD结构应变硅MOSFET衬底电流模型研究及仿真结果分析 | 第47-54页 |
| ·LDD结构应变硅MOSFET衬底电流模型 | 第47-49页 |
| ·LDD结构应变硅MOSFET衬底电流仿真与结果分析 | 第49-54页 |
| ·LDD结构应变硅MOSFET转移特性仿真与结果分析 | 第54-56页 |
| ·LDD结构应变硅MOSFET输出特性仿真与结果分析 | 第56-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
