当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
电流模WLED升压恒流驱动器
金属/锗硅固相反应及其接触特性研究
PMMA介质层铟锌氧化物薄膜晶体管的制备与研究
高效LED筒灯配光、散热一体化设计及能效评价
SOI制备中氧离子注入缺陷的控制与研究
关于再利用硅切削液的研究
镀镍铜框架表面改性及提高与EMC粘附力的研究
碳材料/纳米TiO2复合光催化剂的制备及其光解水制氢性能研究
Ni/Si（110）固相反应特性研究
碳纳米管网络结构场效应晶体管的制备及性能研究
无定形氧化硅的相分离和纳晶硅镶嵌二氧化硅的制备
大功率LED器件的热学研究
0.16微米LOGIC SRAM光刻工艺参数的优化研究
一种高效智能型LED路灯驱动电源的研究与设计
新型MOS沟槽夹断型肖特基整流器的模拟研究
深亚微米集成电路制造中电介质自对准接触通孔刻蚀工艺机理及应用
600V VDMOS功率器件工艺优化研究
有机铁电材料P（VDF-TrFE）纳米结构制备及性能研究
等离子体浸没离子注入技术在ZnO薄膜p型改性方面的应用研究
铁电聚合物基非易失存储结构的电学性能研究
半导体老化测试系统热量传递相关失效的分析研究
太阳能LED照明系统的研究与设计
AlGaN/GaNHEMT的特性及抑制电流崩塌的研究
低压ZnO压敏陶瓷的制备及Y2O3掺杂改性研究
MOS器件电离损伤的蒙特卡罗模拟研究
LED晶粒全自动分拣机的开发研究
磁约束磁控溅射源的关键技术研究
红外玻璃的模压制造研究
LED晶粒自动点测台系统研究
基于CCD校准用LED光源热稳定性的研究
N面GaN外延薄膜生长研究
高κ栅介质LaAlO3的电学特性研究
基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成光接收OEIC
缺陷石墨烯的第一性原理研究
GaN材料的极化特性研究
双沟道AlGaN/GaN异质结构材料与器件研究
复合势垒高电子迁移率晶体管的研制与分析
半导体器件低剂量率辐照效应及表征方法研究
4H-SiC材料中刃型位错的理论研究
硅基应变与弛豫材料的缺陷控制方法研究
硅基应变与弛豫材料的CVD生长动力学模型研究
InGaN/GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究
高κ栅介质MOS器件电学特性的研究
MOS器件单粒子翻转效应研究
低功耗硅探测器前端读出电路设计与性能分析
GaN HEMT非线性模型和微波功率放大器设计
纳米MOSFET散粒噪声抑制及其应用
同时具有隔离层和场板的4H-SiC MESFET特性优化研究
应变MOS器件特性研究
基于SPWM功能的LED恒流驱动芯片
上一页
[194]
[195]
[196]
[197]
[198]
下一页
