| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·硅基应变技术背景 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-10页 |
| ·硅基应变MOSFET 研究现状 | 第8-9页 |
| ·MOSFET 热载流子效应研究现状 | 第9-10页 |
| ·研究内容及论文结构 | 第10-11页 |
| 第二章 应变SiGe PMOSFET 的基本物理及电学特性 | 第11-25页 |
| ·应变SiGe 材料的基本物理特性 | 第11-13页 |
| ·应变SiGe 的形成机制及特点 | 第11-12页 |
| ·应变SiGe 本征载流子浓度和有效态密度 | 第12-13页 |
| ·器件结构及电学特性 | 第13-19页 |
| ·应变SiGe PMOSFET 的迁移率 | 第14-15页 |
| ·应变SiGe PMOSFET 的阈值电压模型 | 第15-19页 |
| ·M OS 器件热载流子效应 | 第19-25页 |
| ·MOSFET 热载流子效应及其产生机制 | 第19-20页 |
| ·不同栅偏置应力下的热载流子效应 | 第20-25页 |
| 第三章 应变SiGe PMOSFET 制造工艺设计与优化 | 第25-37页 |
| ·器件结构优化 | 第25-29页 |
| ·硅帽层厚度对器件性能的影响 | 第25-26页 |
| ·应变SiGe 中Ge 组分对器件性能的影响 | 第26-28页 |
| ·器件结构对热载流子效应的影响 | 第28页 |
| ·器件结构优化结果 | 第28-29页 |
| ·工艺优化 | 第29-32页 |
| ·PMOSFET 工艺流程 | 第29-30页 |
| ·低温硅工艺 | 第30-31页 |
| ·二氧化硅淀积工艺 | 第31-32页 |
| ·器件制作工艺及测试 | 第32-37页 |
| ·器件制作工艺 | 第32-33页 |
| ·器件的测试 | 第33-37页 |
| 第四章 热载流子效应研究 | 第37-53页 |
| ·热载流子测试技术 | 第37-39页 |
| ·应变SiGe PMOSFET 栅电流模型 | 第39-45页 |
| ·栅电流的形成机制 | 第39-40页 |
| ·栅电流模型的建立 | 第40-42页 |
| ·栅电流模型的仿真 | 第42-45页 |
| ·应变SiGe PMOSFET 的衬底电流 | 第45-49页 |
| ·衬底电流的形成 | 第45-46页 |
| ·衬底电流模型的建立 | 第46-48页 |
| ·衬底电流模型的仿真与分析 | 第48-49页 |
| ·LDD 结构的热载流子效应研究 | 第49-51页 |
| ·LDD 掺杂浓度 | 第50-51页 |
| ·LDD 掺杂深度 | 第51页 |
| ·降低热载流子效应的措施 | 第51-53页 |
| 第五章 应变SiGe PMOSFET 阈值电压漂移特性 | 第53-63页 |
| ·热载流子效应诱生器件损伤机制 | 第53-56页 |
| ·器件破键电流引起的界面态产生机制 | 第53-54页 |
| ·界面态引起器件电学特性退化机制 | 第54-56页 |
| ·应变SiGe PMOSFET 阈值电压漂移模型 | 第56-58页 |
| ·电压漂移模型建立 | 第56-57页 |
| ·电压漂移模型仿真 | 第57-58页 |
| ·验证方案设计 | 第58-60页 |
| ·器件选取 | 第58页 |
| ·验证方案设计 | 第58页 |
| ·验证平台的设计 | 第58-60页 |
| ·测试结果及分析 | 第60-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
