高性能SiGe HBT结构设计与制造技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·课题研究的背景和意义 | 第7页 |
| ·SiGe 异质结晶体管国内外研究状况 | 第7-10页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第10-13页 |
| 第二章 SiGe 材料的物理特性 | 第13-33页 |
| ·SiGe 材料的基本性质 | 第13-22页 |
| ·SiGe 材料的晶格常数和界面晶格失配 | 第13-14页 |
| ·应变SiGe 生长的临界厚度 | 第14-16页 |
| ·应变SiGe 的能带结构 | 第16-19页 |
| ·应变SiGe 中载流子的有效质量 | 第19-20页 |
| ·应变SiGe 中载流子的迁移率 | 第20-22页 |
| ·SiGe 异质结的性质 | 第22-30页 |
| ·Si/SiGe 异质结 | 第22-23页 |
| ·Si/SiGe 半导体异质结的注入比 | 第23-28页 |
| ·SiGe 异质结的伏安特性 | 第28-30页 |
| ·小结 | 第30-33页 |
| 第三章 SiGe 异质结晶体管电学特性优化 | 第33-59页 |
| ·直流特性 | 第33-40页 |
| ·集电极电流密度模型 | 第34-35页 |
| ·基极电流密度模型 | 第35-37页 |
| ·电流增益模型 | 第37-38页 |
| ·Early 电压模型 | 第38-39页 |
| ·击穿电压模型 | 第39-40页 |
| ·频率特性 | 第40-44页 |
| ·特征频率 | 第40-43页 |
| ·最高振荡频率 | 第43-44页 |
| ·异质结寄生势垒效应 | 第44-52页 |
| ·异质结寄生势垒效应产生机理及其对器件性能的影响 | 第44-45页 |
| ·改善措施 | 第45-52页 |
| ·异质结势垒效应（HBE） | 第52-58页 |
| ·异质结势垒效应产生机理 | 第52-54页 |
| ·改善措施 | 第54-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第四章 SiGe 异质结晶体管结构设计 | 第59-89页 |
| ·SiGe 异质结晶体管结构分类 | 第59-69页 |
| ·平面结构 | 第59页 |
| ·台面结构 | 第59-62页 |
| ·非自对准结构 | 第62-63页 |
| ·自对准结构 | 第63-68页 |
| ·超自对准结构 | 第68-69页 |
| ·结构对比 | 第69页 |
| ·SiGe 异质结晶体管结构设计 | 第69-88页 |
| ·发射区结构参数优化 | 第69-73页 |
| ·基区结构参数优化 | 第73-82页 |
| ·集电区结构参数优化 | 第82-85页 |
| ·优化结构仿真 | 第85-88页 |
| ·小结 | 第88-89页 |
| 第五章 非选择性外延 SiGeHBT 工艺优化 | 第89-91页 |
| 第六章 总结与展望 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
