| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第10-13页 |
| ·课题的研究背景 | 第10-12页 |
| ·课题的研究意义 | 第12-13页 |
| ·GaN MOSFET 器件研究现状及存在的问题 | 第13-14页 |
| ·GaN MOSFET 器件研究现状 | 第13-14页 |
| ·GaN MOSFET 器件存在的问题 | 第14页 |
| ·论文结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 GaN MOSFET 器件概述 | 第16-24页 |
| ·GaN 材料特性 | 第16-17页 |
| ·GaN 材料的基本特性 | 第16页 |
| ·GaN 的电学特性 | 第16-17页 |
| ·GaN 的光学特性 | 第17页 |
| ·器件制作工艺介绍 | 第17-20页 |
| ·GaN n-MOSFET 工艺流程 | 第17-18页 |
| ·主要工艺介绍 | 第18-20页 |
| ·GaN MOSFET 器件特性表征 | 第20-22页 |
| ·GaN MOSFET 器件材料特性表征 | 第20-21页 |
| ·GaN MOSFET 器件电学特性表征 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 GaN MOSFET 器件的基本模型 | 第24-32页 |
| ·器件仿真工具 | 第24-27页 |
| ·TCAD 工具简介 | 第24-25页 |
| ·仿真软件SILVACO 简介 | 第25-27页 |
| ·器件结构与模型参数 | 第27-31页 |
| ·材料模型和参数 | 第28-29页 |
| ·器件物理模型和参数 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 GaN MOSFET 器件模拟 | 第32-46页 |
| ·GaN MOSFET 器件结构与基本特性模拟 | 第32-34页 |
| ·GaN MOSFET 器件直流特性模拟 | 第34-41页 |
| ·氧化层厚度对GaN MOSFET 器件特性的影响 | 第34-36页 |
| ·栅长对GaN MOSFET 器件特性的影响 | 第36-37页 |
| ·介电常数对GaN MOSFET 器件特性的影响 | 第37-39页 |
| ·沟道掺杂浓度对GaN MOSFET 器件特性的影响 | 第39-41页 |
| ·GaN MOSFET 器件温度特性模拟 | 第41-44页 |
| ·转移特性的温度模拟 | 第42-43页 |
| ·输出特性的温度模拟 | 第43-44页 |
| ·不同结构GaN MOSFET 器件的特性 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 GaN MOSFET 器件实验研究 | 第46-50页 |
| ·GaN MOSFET 器件的制备 | 第46-47页 |
| ·栅介质的选择以及A1_20_3的优势 | 第46-47页 |
| ·GaN MOSFET 器件的制作 | 第47页 |
| ·GaN MOSFET 器件特性分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 研究生期间的研究成果 | 第58-59页 |