| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| ·GaN 基材料的优势 | 第11-16页 |
| ·GaN 基材料在微波功率器件方面的优势 | 第11-14页 |
| ·GaN 基在光电器件方面的优势 | 第14-16页 |
| ·GaN 材料的缺陷问题 | 第16-23页 |
| ·GaN 材料的缺陷类型 | 第16-18页 |
| ·GaN 材料点缺陷 | 第18-23页 |
| ·GaN 的本征缺陷 | 第18-22页 |
| ·GaN 的杂质相关的缺陷 | 第22-23页 |
| ·GaN 的复合体缺陷 | 第23页 |
| ·本文的主要工作与安排 | 第23-26页 |
| 第二章 GaN 材料生长工艺及本文涉及的表征方法 | 第26-50页 |
| ·GaN 晶体的生长 | 第26-32页 |
| ·GaN 体晶生长技术 | 第26页 |
| ·GaN 晶体外延生长技术 | 第26-29页 |
| ·GaN 晶体外延生长衬底的选择 | 第29-32页 |
| ·MOCVD 系统介绍 | 第32-36页 |
| ·MOCVD 生长GaN 薄膜的机理 | 第32-34页 |
| ·MOCVD 生长GaN 薄膜的工艺流程 | 第34-35页 |
| ·西电MOCVD 系统 | 第35-36页 |
| ·GaN 材料研究中本文涉及的表征手段 | 第36-49页 |
| ·二次离子质谱分析(SIMS) | 第37-40页 |
| ·X 射线光电子谱(XPS) | 第40-42页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第42-44页 |
| ·电容-电压测试(C-V) | 第44-46页 |
| ·高分辨率X 射线衍射仪(HRXRD) | 第46-48页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 GaN 外延层漏电与点缺陷关系研究 | 第50-76页 |
| ·GaN 外延层漏电问题的提出 | 第50-52页 |
| ·GaN 外延层漏电情况的表征 | 第52-55页 |
| ·C-V 测试方法 | 第52-54页 |
| ·台面隔离测试方法 | 第54-55页 |
| ·GaN 外延层漏电的机理分析 | 第55-70页 |
| ·GaN 外延层中n 型载流子的来源分析 | 第56-60页 |
| ·GaN 外延层漏电机理分析 | 第60-70页 |
| ·GaN 外延层漏电机理分析(一) | 第61-65页 |
| ·GaN 外延层漏电机理分析(二) | 第65-67页 |
| ·背景载流子对GaN 外延层漏电影响的分析 | 第67-70页 |
| ·高阻GaN 外延层的获得 | 第70-74页 |
| ·不同成核层对GaN 外延层高阻特性的影响 | 第70-74页 |
| ·成核层的介绍 | 第71-72页 |
| ·不同成核层对GaN 外延层漏电的影响 | 第72-74页 |
| ·其他获得高阻GaN 外延层的方法 | 第74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 GaN 外延层点缺陷与黄带发光关系研究 | 第76-92页 |
| ·PL 谱黄带发光问题的提出 | 第76-77页 |
| ·黄带发光的主要机理探究 | 第77-86页 |
| ·黄带发光与C 杂质相关性分析 | 第77-82页 |
| ·黄带发光其他机理排除 | 第82-85页 |
| ·C 杂质导致黄带发光机理 | 第85-86页 |
| ·C 杂质在不同样品中的含量分析 | 第86-91页 |
| ·非极性面GaN 与极性GaN 的C 杂质结合 | 第87-88页 |
| ·MOCVD 与HVPE 方式生长的GaN 中C 元素比较分析 | 第88-89页 |
| ·不同成核层对GaN 薄膜的C 杂质含量的影响 | 第89页 |
| ·Fe 掺杂对C 杂质分布的影响 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 结束语 | 第92-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-104页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第104-106页 |