首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

GaN基双异质结构研究

摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第一章 绪论第12-18页
   ·GaN 材料及常规GaN 基异质结构HEMT 器件特性第12-13页
   ·常规GaN 基HEMT 器件的研究进展第13-14页
   ·GaN 基双异质结构及其HEMT 器件的研究进展第14-16页
   ·本文主要工作第16-18页
第二章 GaN 基双异质结构相关理论第18-26页
   ·GaN 基异质结构2DEG 理论第18-22页
   ·GaN 基双异质结构第22-25页
     ·Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_yGa_(1-y)N/GaN 双异质结构第22-23页
     ·Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_yGa_(1-y)N 双异质结构第23-24页
     ·AlGaN/GaN/InGaN/GaN 双异质结构第24-25页
   ·总结第25-26页
第三章 GaN 双异质结构材料的生长与表征第26-46页
   ·Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_yGa_(1-y)N/GaN 结构第26-31页
     ·模拟仿真第26-28页
     ·AlGaN/GaN/AlGaN/GaN 异质结构材料的结构设计及生长第28-29页
     ·AlGaN/GaN/AlGaN/GaN 异质结构材料的表征第29-31页
   ·Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_yGa_(1-y)N 结构第31-35页
     ·模拟仿真第31-33页
     ·Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_yGa_(1-y)N 异质结构材料的设计及生长第33页
     ·Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_yGa_(1-y)N 异质结构材料的表征第33-35页
   ·AlGaN/GaN/InGaN/GaN 结构第35-40页
     ·InGaN 生长研究第35-37页
     ·AlGaN/GaN/InGaN/GaN 模拟仿真第37-38页
     ·AlGaN/GaN/InGaN/GaN 异质结构材料的结构设计及生长第38-39页
     ·AlGaN/GaN/InGaN/GaN 异质结构材料的表征第39-40页
   ·Al_(0.3)GaN0.7/GaN 双异质结构第40-42页
   ·Al0.45GaN0.55/GaN 双异质结构第42-45页
     ·模拟仿真第42-43页
     ·生长及表征第43-45页
   ·总结第45-46页
第四章 GaN 基双异质结构器件性能分析第46-62页
   ·GaN 基双异质结构HEMT 器件制备第46-47页
     ·HEMT 器件制造工艺第46页
     ·HEMT 器件制造第46-47页
   ·AlGaN/GaN 双异质结转移特性第47-49页
   ·AlGaN/GaN 双异质结构高温特性第49-58页
     ·AlGaN/GaN 异质结构高温特性模拟仿真第49-51页
     ·AlGaN/GaN 基异质结构高温CV 特性第51-56页
     ·AlGaN/GaN 基双异质结构HEMT 高温特性第56-58页
   ·AlGaN/GaN 双异质结构击穿特性第58-60页
   ·总结第60-62页
第五章 结论第62-64页
致谢第64-66页
参考文献第66-72页
攻读硕士期间研究成果第72-74页

论文共74页,点击 下载论文
上一篇:Mg掺杂AlGaN的MOCVD生长以及表征
下一篇:基于自适应IIR滤波器的数字预失真算法研究