GaN基LED表面粗化结构制备技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·LED 简介 | 第8页 |
| ·GaN 材料概述 | 第8-9页 |
| ·GaN 基LED 概述 | 第9-10页 |
| ·本论文的工作 | 第10-12页 |
| 第二章 GaN 及GaN 基LED | 第12-18页 |
| ·GaN 的特性 | 第12-14页 |
| ·GaN 的结构 | 第12-13页 |
| ·GaN 的缺陷及性质 | 第13-14页 |
| ·GaN 基LED 的特性 | 第14-16页 |
| ·LED 的发光原理及优点 | 第14-15页 |
| ·GaN 基蓝光LED | 第15-16页 |
| ·本章小结 | 第16-18页 |
| 第三章 LED 芯片的制造工艺简介 | 第18-22页 |
| ·LED 芯片的制造工艺流程 | 第18-21页 |
| ·清洗 | 第18-20页 |
| ·光刻 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第四章 提升LED 发光效率的方法 | 第22-34页 |
| ·LED 的发光效率 | 第22页 |
| ·提升LED 发光效率的方法 | 第22-25页 |
| ·表面粗化提升LED 发光效率 | 第25-29页 |
| ·表面粗化技术 | 第25-27页 |
| ·主要的干法刻蚀技术 | 第27-28页 |
| ·几种常用的湿法腐蚀方法 | 第28-29页 |
| ·光子晶体对LED 发光效率的影响 | 第29-32页 |
| ·光子晶体简述 | 第29-32页 |
| ·光子晶体在发光二极管中的应用 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第五章 表面结构理论模型分析研究 | 第34-46页 |
| ·数理模型的建立 | 第34-36页 |
| ·模型的结构优化 | 第36-43页 |
| ·本章小结 | 第43-46页 |
| 第六章 GaN 基LED 表面光子晶体工艺实验 | 第46-60页 |
| ·实验介绍 | 第46-47页 |
| ·ITO 光子晶体工艺实验 | 第47-50页 |
| ·ITO 简述 | 第47-48页 |
| ·ITO 表面粗化实验过程 | 第48-49页 |
| ·ITO 表面粗化终测结果分析 | 第49-50页 |
| ·二氧化硅表面粗化实验 | 第50-59页 |
| ·二氧化硅薄膜简述 | 第50-51页 |
| ·二氧化硅表面粗化实验过程 | 第51-54页 |
| ·二氧化硅表面粗化终测结果分析 | 第54-55页 |
| ·二氧化硅透镜实验及终测结果分析 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第七章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第67-68页 |
