| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1. 绪论 | 第8-20页 |
| ·课题研究的背景和意义 | 第8页 |
| ·半导体发展概况 | 第8-9页 |
| ·MOSFET器件概况 | 第9-18页 |
| ·MOSFET的核心 | 第10-11页 |
| ·MOSFET的结构 | 第11页 |
| ·MOSFET的三个工作区域 | 第11-13页 |
| ·MOSFET的应用 | 第13-14页 |
| ·MOSFET的尺寸缩放及栅极材料 | 第14-16页 |
| ·常见的MOSFET技术 | 第16-18页 |
| ·半导体器件模拟概述 | 第18页 |
| ·本次论文的内容安排 | 第18-20页 |
| 2. MOSFET的基本理论 | 第20-30页 |
| ·理想MOS结构的定义 | 第20页 |
| ·静电特性——定性描述 | 第20-24页 |
| ·图示化辅助描述 | 第20-24页 |
| ·静电特性——定量公式 | 第24-30页 |
| ·半导体静电特性的定量描述 | 第24-30页 |
| 3. MOSFET器件基础 | 第30-38页 |
| ·MOSFET工作机理的定性分析 | 第30-35页 |
| ·I_D-V_D特性的定量分析 | 第35-38页 |
| ·阈值电压 | 第35-38页 |
| 4. MOSFET的跨导及其在压力作用下的变化 | 第38-56页 |
| ·模型建立 | 第38-43页 |
| ·等效电路 | 第39-41页 |
| ·沟道电荷控制模型 | 第41-43页 |
| ·应变及流体静压力对半导体材料参数的影响 | 第43-44页 |
| ·压力作用下的电子有效质量 | 第43-44页 |
| ·压力作用下MOSFET导电沟道的异质结AlGaAs/GaAs的迁移率极其跨导 | 第44-55页 |
| ·理论模型 | 第44-45页 |
| ·远程杂质散射 | 第45-53页 |
| ·压力对跨导的影响 | 第53-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-56页 |
| 5. 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及所得的研究成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |