| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·概述 | 第9-12页 |
| ·硅基应变材料的研究意义 | 第9-10页 |
| ·SiGe 材料的基本性质 | 第10-12页 |
| ·本文的主要内容和内容安排 | 第12-15页 |
| 第二章 硅基应变材料的CVD 生长模型研究 | 第15-25页 |
| ·SiGe/Si 材料的生长气源 | 第15-16页 |
| ·SiGe/Si 材料的生长技术与工艺 | 第16-21页 |
| ·SiGe/Si 材料生长的各种工艺技术 | 第16-19页 |
| ·SiGe/Si 材料生长的各种工艺技术比较 | 第19-21页 |
| ·SiGe 材料的几种生长模型 | 第21-25页 |
| ·化学热力学模型 | 第21页 |
| ·分速度生长模型 | 第21-22页 |
| ·基于计算流体动力学的生长模型 | 第22-25页 |
| 第三章 硅基应变材料CVD 生长的表面动力学理论研究 | 第25-35页 |
| ·CVD 的气体碰撞理论 | 第25-28页 |
| ·碰撞理论 | 第25-27页 |
| ·碰撞对影响表面化学反应速率因素的解释 | 第27-28页 |
| ·CVD 的吸附理论 | 第28-31页 |
| ·吸附过程 | 第28-29页 |
| ·吸附速率和解吸附速率 | 第29-31页 |
| ·CVD 薄膜外延生长的扩散过程 | 第31-35页 |
| ·扩散过程 | 第31-32页 |
| ·薄膜生长的模式 | 第32-35页 |
| 第四章 基于碰撞吸附理论的SiGe/Si 异质材料表面生长模型及实验验证 | 第35-45页 |
| ·H2 在表面生长模型中的吸附反应模型 | 第35-37页 |
| ·H2 与生长表面的碰撞 | 第35-36页 |
| ·H 在生长表面的吸附速率 | 第36页 |
| ·H 在生长表面的解吸速率 | 第36-37页 |
| ·硅烷与锗烷的表面反应分解机理 | 第37-38页 |
| ·硅基应变材料RPCVD 表面生长动力学模型的建立 | 第38-40页 |
| ·SiH4 与GeH4 的碰撞率 | 第38-40页 |
| ·实验验证 | 第40-45页 |
| ·实验 | 第40-41页 |
| ·模型验证 | 第41-45页 |
| 第五章 硅基应变材料CVD 生长的分立流密度模型研究 | 第45-55页 |
| ·CVD 外延生长的动力学理论 | 第45-49页 |
| ·边界层理论 | 第45-46页 |
| ·Grove 理论 | 第46-48页 |
| ·温度对两种控制过程的影响 | 第48-49页 |
| ·CVD 生长SiGe 材料的生长速率控制模型 | 第49-52页 |
| ·CVD 生长SiGe 材料的分立流密度模型 | 第49-50页 |
| ·两个生长速率控制过程 | 第50-52页 |
| ·模型的实验验证 | 第52-55页 |
| 第六章 总结 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第61-62页 |
