| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·硅基应变材料的发展现状和前景 | 第7-9页 |
| ·硅基应变材料生长技术发展 | 第9-12页 |
| ·分子束外延 | 第9-10页 |
| ·化学气相淀积 | 第10-12页 |
| ·材料生长动力学研究现状 | 第12-16页 |
| ·表面反应动力学模型 | 第12-14页 |
| ·流体力学动力学模型 | 第14-16页 |
| ·本文的主要内容和内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 硅基应变技术原理与材料特性 | 第17-23页 |
| ·硅基应变技术原理 | 第17-18页 |
| ·硅基应变材料的类型与制备方法 | 第18-21页 |
| ·全局方案 | 第18-19页 |
| ·局部方案 | 第19-21页 |
| ·硅基应变材料的能带结构 | 第21-22页 |
| ·硅基应变材料的输运特性 | 第22-23页 |
| 第三章 硅基应变材料CVD 生长理论研究 | 第23-33页 |
| ·边界层理论 | 第23-28页 |
| ·泊松流 | 第24页 |
| ·边界层理论 | 第24-25页 |
| ·粘性系数 | 第25-28页 |
| ·GROVE 理论 | 第28-32页 |
| ·菲克第一定律 | 第32-33页 |
| 第四章 CVD 生长动力学的计算流体动力学理论 | 第33-40页 |
| ·流体动力学微分方程 | 第33-34页 |
| ·CVD 生长动力学的计算流体动力学物理参数模型 | 第34-40页 |
| ·混合气体密度模型 | 第34-35页 |
| ·混合气体粘性系数模型 | 第35-37页 |
| ·混合气体的热传导模型 | 第37-38页 |
| ·组分输运及反应流模型 | 第38-40页 |
| 第五章 硅基应变材料RPCVD 生长动力学的FLUENT 模拟研究 | 第40-52页 |
| ·计算流体力学软件 | 第40-42页 |
| ·CFD 软件的种类与用途 | 第40-41页 |
| ·FLUENT 软件 | 第41-42页 |
| ·RPCVD 反应室结构FLUENT 模型的建立 | 第42-44页 |
| ·FLUENT 模拟的边界条件定义 | 第44-46页 |
| ·进气口边界条件的定义 | 第44-45页 |
| ·出气口边界条件的定义 | 第45-46页 |
| ·壁面边界条件的定义 | 第46页 |
| ·FLUENT 模拟结果与分析 | 第46-52页 |
| ·温度分布模拟结果及分析 | 第47页 |
| ·浓度分布模拟结果及分析 | 第47-48页 |
| ·压力分布模拟结果及分析 | 第48-50页 |
| ·速度矢量分布模拟结果及分析 | 第50-52页 |
| 第六章 总结 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 攻读硕士研究生期间的研究成果 | 第58-59页 |