| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·GaN 器件国内外研究现状 | 第10-14页 |
| ·本论文的主要研究意义 | 第14页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 功率器件介绍 | 第16-30页 |
| ·AlGaN/GaN 材料介绍 | 第16-21页 |
| ·AlGaN/GaN 材料衬底选择 | 第16-17页 |
| ·AlGaN/GaN 材料自发极化和压电极化 | 第17-18页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料工作机理 | 第18-19页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料二维电子气(2DEG) | 第19-20页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料结构和制备 | 第20-21页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的制造 | 第21-23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件制作关键工艺 | 第21-22页 |
| ·本文AlGaN/GaN HEMT 器件的制造工艺 | 第22-23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件在片测试分析 | 第23-28页 |
| ·GaN 器件直流特性测试 | 第23-24页 |
| ·器件电流崩塌效应测试分析 | 第24-27页 |
| ·击穿电压测试 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 微波测试基础 | 第30-40页 |
| ·散射参数(S 参数)基础 | 第30-33页 |
| ·传输线方程 | 第30-32页 |
| ·S 参数的定义 | 第32-33页 |
| ·S 参数的性质 | 第33-35页 |
| ·S 参数特点 | 第33-34页 |
| ·传输参量(T 参数)与S 参数的相互关系 | 第34-35页 |
| ·S 参数测试系统组成 | 第35-38页 |
| ·S 参数测量系统 | 第35-36页 |
| ·矢量网络分析仪(VNA) | 第36页 |
| ·射频电缆 | 第36-37页 |
| ·直流偏置 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 AlGaN/GaN 器件精确测试 | 第40-70页 |
| ·AlGaN/GaN 器件在片测试方案 | 第40-44页 |
| ·管芯S 参数测试和在片测试系统 | 第40-41页 |
| ·在片小信号测试 | 第41-42页 |
| ·负载牵引测试系统 | 第42-44页 |
| ·AlGaN/GaN 分离器件测试 | 第44-50页 |
| ·测试内容 | 第44-46页 |
| ·测试夹具的设计 | 第46-50页 |
| ·AlGaN/GaN 分离器件测试矢网校准 | 第50-60页 |
| ·矢网校准原理 | 第50-52页 |
| ·SOLT 校准方法 | 第52-54页 |
| ·TRL 校准及TRL 校准件设计 | 第54-60页 |
| ·同轴与TRL 校准测试结果 | 第60-66页 |
| ·同轴校准测试结果 | 第60-61页 |
| ·TRL 校准测试结果 | 第61-63页 |
| ·测试结果比较与研究 | 第63-64页 |
| ·夹具去嵌入 | 第64-66页 |
| ·提取管壳寄生参数 | 第66-68页 |
| ·管壳S 参数实测 | 第66-67页 |
| ·管壳寄生参数提取 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 本文总结 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第78-79页 |
