应变硅电子迁移率研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-11页
·研究背景与意义	第7-8页
·国内外研究进展	第8-10页
·本论文主要工作	第10-11页
第二章 应变硅基本物理特性	第11-27页
·应变硅形成机理	第11-15页
·应变硅能带结构	第15-18页
·导带	第15-16页
·价带	第16-18页
·应变硅基本物理参数	第18-26页
·应变硅状态密度有效质量研究	第18-20页
·应变硅态密度	第20-24页
·应变硅电导有效质量	第24-26页
·本章小结	第26-27页
第三章 应变硅电子散射机制研究	第27-45页
·半导体主要散射机构	第27-29页
·量子力学散射理论	第29-34页
·应变硅电子散射机制	第34-39页
·离化杂质散射	第34-36页
·声学声子散射	第36-39页
·谷间声子散射	第39页
·应变硅电子散射几率与仿真	第39-44页
·本章小结	第44-45页
第四章 应变硅电子迁移率研究	第45-61页
·平均动量弛豫时间	第45-49页
·应变硅电子迁移率物理模型	第49-51页
·应变硅电子迁移率与应力的关系研究	第51-59页
·转化原理及模型研究	第52-57页
·应力与Ge 组分的关系	第57-59页
·本章小结	第59-61页
第五章 结束语	第61-63页
致谢	第63-65页
参考文献	第65-69页
研究成果	第69-70页