SiC外延生长加热系统热场分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·SiC 半导体材料及应用 | 第7-11页 |
| ·SiC 材料 | 第7-9页 |
| ·SiC 材料的应用 | 第9-11页 |
| ·SiC 薄膜材料的制备 | 第11-15页 |
| ·SiC 薄膜材料生长技术概述 | 第11-13页 |
| ·CVD 法制备SiC | 第13页 |
| ·温度对SiC 外延层生长的影响 | 第13-14页 |
| ·LPCVD 系统 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 感应加热 | 第17-29页 |
| ·感应加热概述 | 第17-18页 |
| ·感应加热基本原理 | 第18-19页 |
| ·集肤效应与集肤深度σ | 第19-20页 |
| ·邻近效应 | 第20-21页 |
| ·圆环效应 | 第21页 |
| ·热传递方式 | 第21-24页 |
| ·热传导 | 第22页 |
| ·热对流 | 第22-23页 |
| ·热辐射 | 第23-24页 |
| ·数学模型的建立 | 第24-28页 |
| ·电磁场理论及数学模型 | 第24-26页 |
| ·温度场理论及模型 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 反应室热场有限元模拟 | 第29-47页 |
| ·有限元法 | 第29-32页 |
| ·有限元法简介 | 第29-30页 |
| ·ANSYS 有限元分析软件 | 第30-31页 |
| ·ANSYS 软件的磁热耦合 | 第31-32页 |
| ·反应室热场分析 | 第32-36页 |
| ·主要分析过程 | 第33页 |
| ·有限元几何模型 | 第33-34页 |
| ·分析单元、网格划分与边界条件 | 第34-36页 |
| ·反应室热场模拟结果分析 | 第36-46页 |
| ·线圈匝数的影响 | 第36-38页 |
| ·线圈直径的影响 | 第38-40页 |
| ·线圈间距的影响 | 第40-42页 |
| ·线圈耦合间距的影响 | 第42-44页 |
| ·石墨基座厚度的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 行星式LPCVD 反应室设计 | 第47-51页 |
| ·行星式反应室结构 | 第47页 |
| ·行星式反应室结构初步设计 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
