| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究背景与意义 | 第7-9页 |
| ·论文结构 | 第9-11页 |
| 第二章 纳米MOSFET输运机制与过剩噪声成分转变 | 第11-31页 |
| ·介观导体输运及散粒噪声 | 第11-17页 |
| ·弹道导体输运及散粒噪声 | 第12-13页 |
| ·扩散导体输运及散粒噪声 | 第13-17页 |
| ·纳米MOSFET输运机制转变 | 第17-21页 |
| ·转变证据 | 第17-19页 |
| ·准弹道及弹道输运电流模型 | 第19-21页 |
| ·纳米MOSFET过剩噪声成分转变 | 第21-26页 |
| ·转变证据 | 第21-24页 |
| ·散粒噪声存在性分析 | 第24-25页 |
| ·MOSFET弱反型区电流噪声分析 | 第25-26页 |
| ·转变机理及转变条件分析 | 第26-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 纳米MOSFET输运机制相关电流噪声模型 | 第31-59页 |
| ·弹道链模型及其不足 | 第31-35页 |
| ·基于输运机制的电流噪声模型 | 第35-40页 |
| ·模型验证及结果分析 | 第40-47页 |
| ·模型改进 | 第47-51页 |
| ·基于噪声的背散射系数提取方法 | 第51-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 纳米MOSFET散粒噪声的Monte Carlo模拟 | 第59-73页 |
| ·Monte Carlo模拟 | 第59-67页 |
| ·注入模型 | 第59-62页 |
| ·程序流程图 | 第62-67页 |
| ·模拟结果分析 | 第67-71页 |
| ·偏置电压对输运及散粒噪声的影响分析 | 第67-69页 |
| ·温度及源漏掺杂浓度对输运及散粒噪声的影响分析 | 第69-71页 |
| ·纳米MOSFET低噪声化新思路 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| ·论文总结 | 第73页 |
| ·展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第85页 |