| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的发展及其存在的问题 | 第7-9页 |
| ·增强型HEMT 器件的发展和F 注入的优点 | 第9-11页 |
| ·增强型HEMT 器件研究进展 | 第9-10页 |
| ·薄势垒F 注入提出及其优点 | 第10-11页 |
| ·本文研究内容及安排 | 第11-15页 |
| 第二章AlGaN/GaN HEMT 的基本理论 | 第15-25页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料中的极化效应和2DEG 的来源 | 第15-17页 |
| ·F 注入AlGaN/GaN HEMT 的电场调制机理 | 第17-20页 |
| ·HEMT 器件的工作机理 | 第20-23页 |
| ·直流特性 | 第20-21页 |
| ·沟道电子浓度与电压的关系 | 第21页 |
| ·击穿电压 | 第21-22页 |
| ·频率特性 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章薄势垒耗尽型器件的制备与特性分析 | 第25-34页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的制备 | 第25-28页 |
| ·HEMT 器件的关键制备工艺 | 第25-27页 |
| ·HEMT 器件的工艺流程分析 | 第27-28页 |
| ·薄势垒与常规耗尽型HEMT 器件特性分析 | 第28-32页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的材料结构特性 | 第28-30页 |
| ·器件直流特性分析 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章增强型HEMT 器件的制备与特性分析 | 第34-45页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的材料结构 | 第34页 |
| ·AlGaN/GaN 增强型HEMT 器件的工艺流程 | 第34-36页 |
| ·增强型器件与耗尽型器件特性分析 | 第36-43页 |
| ·器件直流特性 | 第36-39页 |
| ·器件的交流小信号特性 | 第39-40页 |
| ·C-V 性分析 | 第40-41页 |
| ·增强型器件的抑制电流崩塌特性 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章薄势垒增强型器件的可靠性分析 | 第45-55页 |
| ·退火对器件特性的影响 | 第45-49页 |
| ·退火对器件输出特性的影响 | 第45-46页 |
| ·退火对栅漏电流的影响 | 第46-47页 |
| ·退火对器件有源区电阻的影响 | 第47-49页 |
| ·薄势垒与常规增强型器件特性比较 | 第49-53页 |
| ·直流特性分析 | 第49-50页 |
| ·C-V 特性分析 | 第50-51页 |
| ·增强型器件的可靠性分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章结束语 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第64-65页 |
