| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·SiC 材料的发展现状与结构特性 | 第7-10页 |
| ·SiC 材料的发展现状 | 第7-8页 |
| ·SiC 材料结构特性 | 第8-10页 |
| ·SiC 异质结的研究现状 | 第10-12页 |
| ·第一性原理在材料研究中的作用 | 第12页 |
| ·本文的研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 基于第一性原理的密度泛函介绍 | 第13-21页 |
| ·Hohenberg-Kohn 理论 | 第14-16页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第16-17页 |
| ·局域密度近似 | 第17-18页 |
| ·广义梯度近似 | 第18-21页 |
| 第三章 MS 软件及CASTEP 模块的介绍 | 第21-27页 |
| ·Materials Studio 软件简介 | 第21页 |
| ·CASTEP 模块介绍 | 第21-22页 |
| ·CASTEP 的计算理论 | 第22-25页 |
| ·平面波基组展开 | 第22-23页 |
| ·赝势方法 | 第23-25页 |
| ·总结 | 第25-27页 |
| 第四章 6H-SiC 与3C-SiC 表面的研究 | 第27-43页 |
| ·6H-SiC 表面结构特性的研究 | 第27-35页 |
| ·6H-SiC 体结构分析 | 第27-30页 |
| ·6H-SiC 的C 端面结构 | 第30-35页 |
| ·3C-SiC 表面结构特性的研究 | 第35-41页 |
| ·3C-SiC 体结构分析 | 第35-38页 |
| ·3C-SiC 的Si 端面结构 | 第38-41页 |
| ·本章总结 | 第41-43页 |
| 第五章 3C-SiC/6H-SiC 异质结的构造与研究 | 第43-55页 |
| ·3C-SiC/6H-SiC 异质结的建立 | 第43-46页 |
| ·3C-SiC/6H-SiC 异质结的电子特性分析 | 第46-50页 |
| ·3C-SiC/6H-SiC 异质结的带阶计算 | 第50-54页 |
| ·本章总结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |