| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景与意义 | 第8-9页 |
| ·论文结构 | 第9-12页 |
| 第二章 高k 介质MOS 器件直接隧穿噪声模型及其不足 | 第12-26页 |
| ·高k MOS 器件直接隧穿基本噪声模型 | 第12-20页 |
| ·漏电流噪声建模的基本理论思想 | 第12-13页 |
| ·载流子交换机制及时间常数计算 | 第13-16页 |
| ·高k 栅栈直接隧穿基本噪声模型的建立 | 第16-20页 |
| ·高k MOS 器件直接隧穿改进噪声模型 | 第20-24页 |
| ·双层栅栈结构噪声模型 | 第20页 |
| ·双氧化层陷阱密度的分布特性 | 第20-22页 |
| ·载流子隧穿模型势垒结构的改进 | 第22-24页 |
| ·高k MOS 器件直接隧穿改进噪声模型的不足 | 第24-26页 |
| 第三章 高k 介质缺陷与沟道共振隧穿交换载流子模型 | 第26-48页 |
| ·漏电流1/f 噪声载流子的俘获发射产生机制 | 第26-28页 |
| ·MOS 器件中载流子交换过程的隧穿机制 | 第28-33页 |
| ·高k 介质中可能存在的隧穿机制 | 第28-30页 |
| ·共振隧穿的存在依据(理论与实验验证) | 第30-33页 |
| ·交换载流子的共振隧穿机制 | 第33-34页 |
| ·高k 栅栈MOS 结构中氧化层陷阱分布特性 | 第33页 |
| ·高k 陷阱俘获电子的物理模型 | 第33-34页 |
| ·共振隧穿交换载流子的数学模型 | 第34-48页 |
| ·双势垒结构共振隧穿系数数学模型 | 第34-40页 |
| ·非对称单势垒量子隧穿 | 第35-36页 |
| ·高kMOS 结构中电子在非对称双势垒量子阱的隧穿 | 第36-39页 |
| ·高k MOS 器件中的等效势垒高度 | 第39-40页 |
| ·隧穿系数数学模型的验证与讨论 | 第40-45页 |
| ·载流子能量与隧穿系数的关系 | 第40-43页 |
| ·栅压与隧穿系数的关系 | 第43-44页 |
| ·共振隧穿系数与陷阱位置的关系 | 第44-45页 |
| ·共振隧穿机制交换载流子时间常数的计算及讨论 | 第45-48页 |
| 第四章 高k 介质MOS 器件全隧穿噪声模型 | 第48-62页 |
| ·高k 介质MOS 器件隧穿机制及噪声建模思路 | 第48-50页 |
| ·双层电介质中的直接隧穿过程 | 第48-49页 |
| ·发生在Si0_2/Hf0_2 界面缺陷的共振隧穿 | 第49页 |
| ·直接隧穿与共振隧穿同时并行存在 | 第49-50页 |
| ·介质层中陷阱密度的分布假设 | 第50-55页 |
| ·高k 介质体缺陷的几何分布假设 | 第50-51页 |
| ·高k 介质体缺陷能级特性 | 第51-53页 |
| ·界面陷阱空间与能量分布假设 | 第53-54页 |
| ·体缺陷与界面缺陷密度 | 第54-55页 |
| ·基于全隧穿机制的噪声模型 | 第55-62页 |
| ·全隧穿机制的噪声模型 | 第55-57页 |
| ·噪声模型的论证与讨论 | 第57-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·论文总结 | 第62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 参与的科研项目 | 第71-72页 |
