| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·三族氮化物材料优势以及材料特性 | 第7-11页 |
| ·材料优势 | 第7-9页 |
| ·材料特性 | 第9-11页 |
| ·p-type 的问题 | 第11-13页 |
| ·本文研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 AlGaN 的MOCVD 外延生长技术与生长机理 | 第15-23页 |
| ·AlGaN 异质结外延生长的方法 | 第15-16页 |
| ·MOCVD 生长技术以及系统的简要介绍 | 第16-20页 |
| ·衬底的选择 | 第16-18页 |
| ·MOCVD 方法生长AlGaN 晶体薄膜的生长机理 | 第18-19页 |
| ·MOCVD 生长系统的基本介绍 | 第19-20页 |
| ·异质结外延生长的生长模式以及三族氮化物位错的形成 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 AlGaN 外延材料的表征手段以及基本原理 | 第23-35页 |
| ·HR-XRD | 第23-25页 |
| ·AFM | 第25-27页 |
| ·PL | 第27-28页 |
| ·Hall | 第28-32页 |
| ·SIMS | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 均匀Mg 掺杂AlGaN 的生长以及退火研究 | 第35-43页 |
| ·均匀Mg 掺杂AlGaN 生长的实验 | 第35-36页 |
| ·退火准备工作 | 第36-37页 |
| ·退火的结果 | 第37-42页 |
| ·对材料质量，表面形貌和电性能的影响 | 第37-40页 |
| ·对Mg 和杂质原子浓度的影响 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 Mg 掺杂法的p 型AlGaN 的生长研究 | 第43-54页 |
| ·Mg 掺杂法的p 型AlGaN 的生长 | 第43-44页 |
| ·不同Ⅴ/Ⅲ流量的δ掺杂法与均匀Mg 掺杂AlGaN 的表征 | 第44-53页 |
| ·晶体薄膜质量的变化 | 第45-47页 |
| ·表面形貌的变化 | 第47-49页 |
| ·SIMS 结果 | 第49-51页 |
| ·PL 结果 | 第51-52页 |
| ·电学性能的变化 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 总结 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
