应变对NMOSFET性能影响的研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
1. 绪论	第9-16页
·课题研究的目的和意义	第9-10页
·国内外综述	第10-15页
·微传感器和位移传感器	第10-15页
·课题主要研究内容	第15-16页
2. 能带理论	第16-29页
·能带理论知识	第16-17页
·布洛赫定理[27]	第16-17页
·一维周期场中电子运动的近似自由电子近似	第17-23页
·能级与能带	第23-29页
·原子能级与能带的对应	第23-26页
·半导体中的基本能带结构	第26-29页
3 应变对 NMOSFET 性能的影响	第29-54页
·介观压阻效应	第29-32页
·介观压导效应	第32-43页
·平衡状态的NMOSFET 定性分析	第33-35页
·非平衡状态的NMOSFET 定性分析	第35-36页
·半导体中的费米能级[44] -[45]	第36-39页
·MOS 电容和阈值电压	第39-43页
·NMOSFET 电路应变分析	第43-49页
·NMOSFET 电路的SPICE 模拟	第43-45页
·应变对NMOSFET 特性的影响	第45-46页
·应变对I_D-V_(DS)特性的影响	第46-49页
·应变对I_D-V_(GS)特性的影响	第49页
·G_(TR)-V_(GS)特性	第49-53页
·NMOSFET 电路特性的综合分析	第53-54页
4 材料中的部分应力分析	第54-61页
·变形固体的基本假设	第54-55页
·悬臂梁的挠度	第55-59页
·薄板弯曲问题的分析	第59-61页
5 机械微传感器	第61-67页
·测力传感器简介	第61-62页
·传感器的发展方向	第62-63页
·微型悬臂梁传感器的设计分析	第63-67页
·弹性梁	第63-66页
·计算结果与分析	第66-67页
6. 结论	第67-69页
·全文总结	第67页
·进一步展望	第67-69页
参考文献	第69-74页
硕士期间发表论文及研究成果	第74-75页
致谢	第75页